31、如图28-1所示,X轴上方有匀强磁场B,下方

有匀强电场E。电量为q、质量为m、重力不计的粒

子y轴上。X轴上有一点N(L.0),要使粒子在y轴

上由静止释放而能到达N点,问:(1)粒子应带何种

电荷? (2)释放点M应满足什么条件? (3)粒子从M

点运动到N点经历多长的时间?

分析与解:(1) 粒子由静止释放一定要先受电场力作用 (磁场对静止电荷没有作用力),所以 M点要在-Y轴上。要进入磁场必先向上运动,静上的电荷要向上运动必须受到向上的电场力作用,而场强 E方向是向下的,所以粒子带负电。

(2)粒子在M点受向上电场力,从静止出发做匀加速运动。在 O点进入匀强磁场后,只受洛仑兹力(方向沿+X轴)做匀速周围运动,经半个周期,回到X轴上的P点,进入匀强电场,在电场力作用下做匀减速直线运动直到速度为零。然后再向上做匀加速运动,在X轴上P点进入匀强磁场,做匀速圆运动,经半个周期回到X轴上的Q点,进入匀强电场,再在电场力作用下做匀减速运动直到速度为零。此后,粒子重复上述运动直到 X轴上的N点,运动轨迹如图28-2所示。

设释放点M的坐标为(0.-yO),在电场中由静

止加速,则:qEyO=mV2 [1]

在匀强磁场中粒子以速率V做匀速圆周运动,

有:qBV=mV2/R [2]

设n为粒子做匀速圆周运动的次数(正整数)

则:L=n2R,所以R=L/2n [3]

解[1][2][3]式得:V=qBL/2mn,所以yO=qB2L2/8n2mE (式中n为正整数)

(3)粒子由M运动到N在电场中的加速运动和减速运动的次数为(2n-1)次,

 每次加速或减速的时间都相等,设为t1,则:yO=at12=qEt12/m

所以t1=

粒子在磁场中做匀速圆周运动的半周期为t2,共n次,t2=πm/qB

粒子从M点运动到N点共经历的时间为:

t=(2n-1)t1+nt2=(2n-1)BL/2nE+nπm/qB (n=1、2、3……)

30、如图27-1所示,光滑导轨EF、GH等高平行放置,

EG间宽度为FH间宽度的3倍,导轨右侧水平且处于竖直向上的匀强磁场中,左侧呈弧形升高。ab、cd是质量均为m的金属棒,现让ab从离水平轨道h高处由静止下滑,设导轨足够长。试求:(1)ab、cd棒的最终速度,(2)全过程中感应电流产生的焦耳热。

分析与解:ab下滑进入磁场后切割磁感线,在abcd电路中产生感应电流,ab、cd各受不同的磁场力作用而分别作变减速、变加速运动,电路中感应电流逐渐减小,当感应电流为零时,ab、cd不再受磁场力作用,各自以不同的速度匀速滑动。全过程中系统内机械能转化为电能再转化为内能,总能量守恒。

(1)   ab自由下滑,机械能守恒:mgh=(1/2)mV2 [1]

由于ab、cd串联在同一电路中,任何时刻通过的电流总相等,金属棒有效长度 Lab=3Lcd,故它们的磁场力为:Fab=3Fcd [2]

在磁场力作用下,ab、cd各作变速运动,产生的感应电动势方向相反,当εabcd时,电路中感应电流为零,(I=0),安培力为零,ab、cd运动趋于稳定,此时有:BLabVab=BLcdVcd 所以Vab=Vcd/3 [3]

ab、cd受磁场力作用,动量均发生变化,由动量定理得:

   Fab△t=m(V-Vab) [4]  Fcd△t=mVcd [5]

联立以上各式解得:Vab=(1/10),Vcd=(3/10)

(2)根据系统能量守恒可得:Q=△E=mgh-(1/2)m(Vab2+Vcd2)=(9/10)mgh

说  明:本题以分析ab、cd棒的受力及运动情况为主要线索求解。

注意要点:①明确ab、cd运动速度稳定的条件。

②理解电磁感应及磁场力计算式中的“L”的物理意义。

③电路中的电流、磁场力和金属棒的运动之间相互影响制约变化复杂, 解题时抓住每一瞬间存在Fab=3Fcd及终了状态时Vab=(1/3)Vcd的关系,用动量定理求解十分方便。

④金属棒所受磁场力是系统的外力,且Fab≠Fcd时,合力不为零,故系统动量不守恒,只有当Lab=Lcd时,Fab=Fcd,方向相反,其合力为零时,系统动

量才守恒。

26、两平行金属板相距为d,加上如图23-1(b)所示的方波形电压,电压的最大值为U0,周期为T。现有一离子束,其中每个离子的质量为m,电量为q,从与两板等距处沿着与板平行的方向连续地射入两板间的电场中。设离子通过平行板所需的时间恰为 T(与电压变化周期相同),且所有离子都能通过两板间的空间打在右端的荧光屏上。试求:离子击中荧光屏上的位置的范围。(也就是与O‘点的最大距离与最小距离)。重力忽略不计。

分析与解:

各个离子在电场中运动时,其水平分运动都是匀速直线运动,而经过电场所需时间都是T,但不同的离子进入电场的时刻不同,由于两极间电压变化,因此它们的侧向位移也会不同。

当离子在t=0,T,2T……时刻进入电场时,两板间在T/2时间内有电压U0,因而侧向做匀加速运动,其侧向位移为y1,速度为V。接着,在下一个T/2时间内,两板间没有电压,离子以V速度作匀速直线运动,侧向位移为y2,如图23-2所示。这些离子在离开电场时,侧向位移有最大值,即(y1+y2)。

当离子在T=t/2,3/2T,5/2T……时刻进入电场

时,两板间电压为零,离子在水平方向做匀速

直线运动,没有侧向位移,经过T/2时间后,

两板间有电压U0,再经过T/2时间,有了侧向

位移y1,如图23-3所示。这些离子离开电场时

有侧向位移的最小值,即y1

当离子在上述两种特殊时刻之外进入电场的,其侧向位移值一定在(y1+y2)与y1之间。根据上述分析就可以求出侧向位移的最大值和最小值。

所以,离子击中荧光屏上的位置范围为:

 

 0  136700  136708  136714  136718  136724  136726  136730  136736  136738  136744  136750  136754  136756  136760  136766  136768  136774  136778  136780  136784  136786  136790  136792  136794  136795  136796  136798  136799  136800  136802  136804  136808  136810  136814  136816  136820  136826  136828  136834  136838  136840  136844  136850  136856  136858  136864  136868  136870  136876  136880  136886  136894  447348 

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