18．
如图所示，在一次空地演习中，离地H高处的飞机以水平速度υ1（相对地）发射一颗炮弹欲轰炸地面目标P，设炮弹做平抛运动，反应灵敏的地面拦截系统同时以速度υ2竖直向上发射炸弹拦截．设炸弹做竖直上抛运动，拦截系统与飞机的水平距离为s，在炸弹上升过程中拦截成功，不计空气阻力．则υ1、υ2的关系应满足（ ）
如图所示，在一次空地演习中，离地H高处的飞机以水平速度υ1（相对地）发射一颗炮弹欲轰炸地面目标P，设炮弹做平抛运动，反应灵敏的地面拦截系统同时以速度υ2竖直向上发射炸弹拦截．设炸弹做竖直上抛运动，拦截系统与飞机的水平距离为s，在炸弹上升过程中拦截成功，不计空气阻力．则υ1、υ2的关系应满足（ ）| A． | υ1=υ2 | B． | υ1=$\frac{H}{s}$υ2 | C． | υ1=$\sqrt{\frac{H}{s}}$υ2 | D． | υ1=$\frac{s}{H}$υ2 |
17．
在直角坐标系XOY平面内有一磁场边界圆，半径为R，圆心在坐标原点O，圆内充满垂直该平面的匀强磁场，紧靠圆的右侧固定放置与Y轴平行的弹性挡板，如图所示．一个不计重力的带电粒子以速度v0从A点沿负Y方向进入圆内，刚好能垂直打在挡板B点上，若该粒子在A点速度v0向右偏离Y轴60°角进入圆内，粒子与档板相碰时间极短且无动能损失，则该粒子（ ）
在直角坐标系XOY平面内有一磁场边界圆，半径为R，圆心在坐标原点O，圆内充满垂直该平面的匀强磁场，紧靠圆的右侧固定放置与Y轴平行的弹性挡板，如图所示．一个不计重力的带电粒子以速度v0从A点沿负Y方向进入圆内，刚好能垂直打在挡板B点上，若该粒子在A点速度v0向右偏离Y轴60°角进入圆内，粒子与档板相碰时间极短且无动能损失，则该粒子（ ）| A． | 在B点上方与挡板第二次相碰 | |
| B． | 经过$\frac{（π+1）R}{{v}_{0}}$时间第二次射出边界圆 | |
| C． | 第二次与挡板相碰时速度方向与挡板成60°角 | |
| D． | 经过$\frac{2πR}{{v}_{0}}$时间第二次与挡板相碰 |
如图所示，水平地面上有一个以速度v1=v匀速运动的长木板，长木板上有一个质量为m的小物块，小物块被垂直于长木板和v1方向、固定在水平地面上的挡板挡住（挡板由两边两条支柱固定，不影响长木板的运动），阻止其随长木板一起运动．小物块与长木板间动摩擦因数为μ1=μ，与挡板间动摩擦因数为μ2=2μ．现用一个水平恒力F沿挡板方向拉小物块，使小物块沿挡板方向以速度v2=$\sqrt{3}$v做匀速运动．
15．一个矩形线圈在匀强磁场中转动，产生的感应电动势e=220$\sqrt{2}$sin100πt V，则（ ）
| A． | 交流电的频率是100π Hz | B． | t=0时，线圈位于中性面 | ||
| C． | 交流电的周期是0.04s | D． | t=0.05s时，e有最小值 |
一节电动势约为9V、内阻约为2Ω的电池，允许通过的最大电流是500mA．为了测定该电池的电动势和内阻，选用了总阻值为50Ω的滑动变阻器以及电流表和电压表等，连成了如图所示的电路．
如图所示，半径为R的半球形陶罐，固定在可以绕竖直轴旋转的水平转台上，转台转轴与过陶罐球心O的对称轴OO′重合．转台以一定角速度ω匀速转动，一质量为m的小物块落入陶罐内，经过一段时间后小物块随陶罐一起转动且相对罐壁静止，它和O点的连线与OO′之间的夹角θ为60°，重力加速度大小为g．
如图枪管AB对准小球C，A、B、C在同一水平面上，已知BC=100m，当子弹射出枪口时，小球C刚好下落，子弹恰好能在C下落20m时击中C（仍在空中）．则子弹射出枪口时的速度为多少？（不计空气阻力，取g=10m/s2）
在“探究平抛运动的运动规律”的实验中，可以描绘出小球平抛运动的轨迹，实验简要步骤如下：
10．在距地面高h处，甲球以初速度v0水平抛出，乙球同时以初速度v0沿45°的光滑斜面从高h处开始下滑，若它们同时到达地面，则初速度v0的大小是（ ）
0 143703 143711 143717 143721 143727 143729 143733 143739 143741 143747 143753 143757 143759 143763 143769 143771 143777 143781 143783 143787 143789 143793 143795 143797 143798 143799 143801 143802 143803 143805 143807 143811 143813 143817 143819 143823 143829 143831 143837 143841 143843 143847 143853 143859 143861 143867 143871 143873 143879 143883 143889 143897 176998
| A． | $\frac{\sqrt{gh}}{2}$ | B． | $\sqrt{\frac{gh}{2}}$ | C． | $\sqrt{2gh}$ | D． | 2$\sqrt{gh}$ |
如图所示，线圈内有理想边界的磁场，当磁感应强度均匀增加时，有一带电微粒静止于水平放置的平行板电容器中间，则此粒子带负电，若线圈的匝数为n，平行板电容器的板间距离为d，粒子的质量为m，带电量为q，线圈面积为S，则磁感应强度的变化率为$\frac{mgd}{nqS}$．