题目内容
9.| A. | 导线B所受的安培力大小为$\sqrt{2}$F | B. | 导线B所受的安培力大小为$\sqrt{7}$F | ||
| C. | 导线C所受的安培力大小为F | D. | 导线C所受的安培力大小为$\sqrt{2}$F |
分析 由左手定则先判断出A受到B的安培力的方向,利用牛顿第三定律得知B受到A的安培力的大小和方向,加入C后通过对A的受力情况的分析,得知C对A的安培力的大小和方向,利用安培力的大小与电流成正比的规律可知B受到C的安培力大小,再利用左手定则判知其方向作图画出B受到安培力的示意图,通过余弦定理即可求得B受到的磁场力大小;同理求出导线C受到的安培力
解答
解:根据题意,导线A受到导线B的安培力为F,放置导线C后,导线A的安培力仍为F,导线AB电流方向互相排斥,导线AC电流同向互相吸引,根据力的平行四边形定则可知,导线A受到导线C的安培力也为F,所以C导线中电流与B导线中电流大小相等,均为2I;
对导线B受力分析如图:A导线对B导线的安培力为F,C导线对B导线的安培力为2F,根据平行四边形定则合成
${F}_{B}^{\;}=\sqrt{{F}_{\;}^{2}+(2F)_{\;}^{2}-2F×2Fcos120°}$=$\sqrt{7}F$,故A错误、B正确;
对导线C受力分析如图:A导线对C的引力为F,B导线对C导线的安培力2F,根据平行四边形定则合成
${F}_{C}^{\;}=\sqrt{{F}_{\;}^{2}+(2F)_{\;}^{2}-2F×2Fcos60°}$=$\sqrt{3}F$,故C错误、D错误;
故选:B
点评 该题考查了安培力的大小和方向的分析,涉及到的安培力较多,这就要求在解答的过程中要细心,要有一定的条理性;要知道在磁场强度相同的情况下,安培力的大小与电流的大小成正比;同时要注意数学知识在物理学中的应用,像该题就用到了余弦定理.
练习册系列答案
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8.
如图所示B端封闭的U形玻璃管内有A、B两段被汞柱封闭的空气柱,若大气压强为p0,空气柱A、B的压强为pA、pB,则下列关系式中不正确的是( )
| A. | pA=p0+ρgh1 | B. | pB+ρgh3=pA+ρgh2 | ||
| C. | pB+ρgh3=p0+ρgh1+pA+ρgh2 | D. | pB+ρgh3=p0+ρgh1+ρgh2 |
4.
如图所示是“嫦娥二号”奔月示意图,卫星发射后直接进入地月转移轨道,最终被月球引力捕获,成为绕月卫星,并开展对月球的探测.下列说法正确的是( )
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| D. | 发射“嫦娥二号”的速度必须达到第三宇宙速度 |
14.
五根完全相同的金属杆,其中的四根连接在一起构成一个正方形的闭合框架,框架被固定在绝缘的水平桌面上,另一根金属杆ab搁在水平框架上而且始终接触良好,匀强磁场垂直穿过桌面,若不计ab杆与框架的摩擦,当ab杆在外力F作用下匀速沿框架从最左端向最右端运动的过程中( )
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| B. | 外力F先减小后增大 | |
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| D. | 正方形框架的发热功率总小于ab杆的发热功率 |
1.在匀强磁场中有一不计电阻的单匝矩形线圈,绕垂直于磁场的轴匀速转动,产生如图甲所示的正弦交流电,把该交流电输入到图乙中理想变压器的A、B两端.图中的电压表和电流表均为理想交流电表,Rt为热敏电阻(温度升高时其电阻减小),R为定值电阻.下列说法正确的是( )
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| B. | 变压器原线圈两端电压的瞬时值表达式为u=36$\sqrt{2}$sin50πt(V) | |
| C. | Rt处温度升高时,电压表V1示数与V2示数的比值变大 | |
| D. | Rt处温度升高时,电压表V2示数与电流表A2示数的乘积可能变大、也可能变小,而电压表V1示数与电流表A1示数的乘积一定变大 |