题目内容

14.石墨、富勒烯C60、和金刚石的结构模型如图所示(石墨仅表示出其中的一层结构):


(1)石墨层状结构中,层与层之间作用力为范德华力,片层中平均每个六元环含碳原子数为2个;在层状结构中,平均每个六棱柱含碳原子数2个.正硼酸(H3BO3)是一种片层状结构白色晶体,有与石墨相似的层状结构.层内的H3BO3分子通过氢键相连(如图).分子中B原子杂化轨道的类型为sp2,1mol H3BO3的晶体中有3mol氢键

(2)由金刚石晶胞可知,每个金刚石晶胞占有8个碳原子.碳原子杂化类型为sp3,在该晶体1mol碳平均可形成2molC-C键,砷化镓是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与金刚石相似,GaAs晶体中,每个As与4个Ga相连,且第一电离能As>Ga(填“>”、“<”或“=”)
(3)C60属于分子 (填“原子”或“分子”)晶体.晶体结构中,C60分子中每个碳原子只跟相邻的3个碳原子形成化学键,1mol C60分子中σ键的数目为90NA,科学家把C60和M掺杂在一起制造出的化合物具有超导性能,其晶胞如图所示.M位于晶胞的棱和内部,该化合物中的M原子和C60分子的个数比为3:1.

分析 (1)石墨层状结构中,层与层之间作用力为范德华力,片层中平均每个六元环含碳原子数=$\frac{1}{3}$×6;
在层状结构中,平均每个六棱柱含碳原子数=12×$\frac{1}{6}$;
根据图知,正硼酸(H3BO3)中每个B原子连接3个O原子且不含孤电子对,据此确定B原子杂化方式;
1个正硼酸分子能形成3个氢键,据此计算1mol H3BO3的晶体中氢键物质的量;
(2)金刚石晶胞中C原子个数=4+8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$;每个C原子形成四个共价键,且不含孤电子对,则C原子为sp3杂化;金刚石中每个C原子形成碳碳键个数=4×$\frac{1}{2}$=2;GaAs晶体结构和金刚石相似,所以GaAs中,每个As与4个Ga相连,同一周期元素,元素第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势,但第IIA、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素;
(3)由分子构成的晶体是分子晶体;C60分子中每个碳原子只跟相邻的3个碳原子形成化学键,每个C原子含有1.5个σ键;
该晶胞中M原子个数=8+1+12×$\frac{1}{4}$=12,C60分子个数=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,所以M和C60个数之比=12:4=3:1.

解答 解:(1)石墨层状结构中,层与层之间作用力为范德华力,片层中平均每个六元环含碳原子数=$\frac{1}{3}$×6=2;
在层状结构中,平均每个六棱柱含碳原子数=12×$\frac{1}{6}$=2;
根据图知,正硼酸(H3BO3)中每个B原子连接3个O原子且不含孤电子对,据此确定B原子杂化方式为sp2;
1个正硼酸分子能形成3个氢键,则1mol H3BO3的晶体中氢键物质的量是3mol;
故答案为:范德华力;2;2;sp2;3;
(2)金刚石晶胞中C原子个数=4+8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=8;每个C原子形成四个共价键,且不含孤电子对,则C原子为sp3杂化;金刚石中每个C原子形成碳碳键个数=4×$\frac{1}{2}$=2;GaAs晶体结构和金刚石相似,所以GaAs中,每个As与4个Ga相连,同一周期元素,元素第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势,但第IIA、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素,所以第一电离能As>Ga;
故答案为:8;sp3;2;4;>;
(3)由分子构成的晶体是分子晶体;C60分子中每个碳原子只跟相邻的3个碳原子形成化学键,每个C原子含有1.5个σ键,1mol C60分子中σ键的数目为90NA;
该晶胞中M原子个数=8+1+12×$\frac{1}{4}$=12,C60分子个数=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,所以M和C60个数之比=12:4=3:1.
故答案为:分子;90NA;3:1.

点评 本题考查物质结构和性质,为高频考点,涉及晶胞计算、原子杂化方式判断、电离能大小判断等知识点,难点是晶胞计算,注意(3)中原子个数计算,同时考查空间想象能力,题目难度中等.

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