题目内容
【题目】GaAs晶体的熔点很高, 硬度很大, 密度为ρ g·cm-3,Ga 和As 的摩尔质量分别为MGag·mol-1和MAs g·mol-1, 原子半径分别为rGa pm 和rAs pm, 阿伏加德罗常数值为NA, 其晶胞结构如下图所示, 下列说法错误的是
A. 该晶体为原子晶体
B. 在该晶体中,Ga和As均无孤对电子,Ga和As的配位数均为4
C. 原子的体积占晶胞体积的百分率为
D. 所有原子均满足8电子稳定结构
【答案】C
【解析】
A．GaAs 晶体的熔点很高，硬度很大，符合原子晶体的特点；
B．由晶胞结构可知，晶胞中As、Ga原子数目之比为1：1，As、Ga配位数相同，Ga与周围4个As原子形成正四面体结构，As与周围4个Ga原子也形成正四面体结构，原子均形成4个键，Ga原子价电子为3，与As形成4个共价键，说明As原子提供1对孤电子对给Ga形成配位键；
C．均摊法计算晶胞中各原子数目，再计算原子总体积，结合密度计算晶胞体积，空间利用率=晶胞最近原子总体积/晶胞体积×100%；
D．每个As、Ga原子都形成4个共价键，均没有孤电子对。
A．GaAs 晶体的熔点很高，硬度很大，为空间立体网站结构，属于原子晶体，故A正确；
B．由晶胞结构可知，Ga的配位数为4，晶胞中Ga原子数目=4，As原子数目=8×1/8+6×1/2=4，晶胞中As、Ga原子数目之比为1：1，故As配位数也是4，Ga与周围4个As原子形成正四面体结构，As与周围4个Ga原子也形成正四面体结构，原子均形成4个键，Ga原子价电子为3，与As形成4个共价键，说明As原子提供1对孤电子对给Ga形成配位键，As原子最外层5个电子全部成键，均没有孤电子对，故B正确；
C．晶胞中原子总体积=4×4/3π（rGa3+rAs3 ）×10-30 cm3，晶胞质量=4×(MGa+MAs)/NA g，晶胞体积=（4×(MGa+MAs)/NA g）÷ρ g·cm-3，原子的体积占晶胞体积的百分率=
×100%=4πρNA(r3Ga+r3As)/3(MGa+MAs)×10-30×100%，故C错误；
D．每个As、Ga原子都形成4个共价键，均没有孤电子对，所有原子均满足 8 电子稳定结构，故D正确，
故选：C。
【题目】某实验室废液含
等离子，现通过如下流程变废为宝制备
。
已知：(a)
(黄色)
(b)金属离子形成氢氧化物沉淀的pH范围如表。
金属离子 | pH | |
沉淀 | 沉淀 | |
Fe3+ | 2.7 | 3.7 |
Cr3+ | 4.9 | 6.8 |
请回答：
(1)如在试管中加入少量(NH4)2Cr2O7固体，滴加足量浓KOH溶液，振荡、微热，观察到的主要现象是：_________________。
(2)某同学采用纸层析法判断步骤①加入KOH的量是否合适。在加入一定量KOH溶液后,用毛细管取样、点样、薄层色谱展开、氨熏后的点如图所示。加入KOH最适合的实验编号是(上图ABC中选择，实验顺序已乱)_________________,C的斑点颜色为_________________。
(3)步骤②含Cr物质发生的主要反应的离子方程式为_________________。
(4)在下列装置中，步骤②应选用实验装置是_________________。(填标号)
(5)部分物质的溶解度曲线如图2,步骤⑤可能用到下列部分操作:a.蒸发至出现大量晶体，停止加热;b.冷却至室温;c.蒸发至溶液出现晶膜，停止加热;d.洗涤;e.趁热过滤;f.抽滤。请选择合适操作的正确顺序_________________。
(6)步骤⑤中合适的洗涤剂是_________________(“无水乙醇”、“乙醇-水混合液”、“热水”、“冰水”),粗产品进一步提纯的方法是_________________。
(7)取mg粗产品配成250mL溶液，取25.00mL于锥形瓶中，用cmol.L-1的
标准溶液滴定(杂质不反应)，消耗标准溶液VmL，则该粗产品中的纯度为_________________。(的式量:294)
