Question

2．短周期主族元素M、N、X、W在元素周期表中的相对位置如图所示，N元素的单质常用作半导体材料．下列判断正确的是（　　）

• A． 原子半径的大小：W＞X＞M
• B． 气态氢化物的稳定性：N＞X＞M
• C． 对应的含氧酸的酸性强弱：W＞X＞N
• D． W分别与N、X形成的化合物中的化学键均为极性键

Answer 1

分析 N元素的单质常用作半导体材料，则N为Si，结合短周期主族元素M、N、X、W在元素周期表中的相对位置可知，X为P，M为O，W为Cl．
A．电子层越多，原子半径越大；同周期从左向右原子半径减小；
B．非金属性越强，氢化物越稳定；
C．非金属性越强，最高价含氧酸的酸性越强；
D．W分别与N、X形成的化合物中的化学键分别为为Si-Cl、Cl-P键．

解答 解：N元素的单质常用作半导体材料，则N为Si，结合短周期主族元素M、N、X、W在元素周期表中的相对位置可知，X为P，M为O，W为Cl．
A．电子层越多，原子半径越大；同周期从左向右原子半径减小，则原子半径为X＞W＞M，故A错误；
B．非金属性越强，氢化物越稳定，则气态氢化物的稳定性：N＜X＜M，故B错误；
C．非金属性越强，最高价含氧酸的酸性越强，则最高价含氧酸的酸性符合，故C错误；
D．W分别与N、X形成的化合物中的化学键分别为为Si-Cl、Cl-P键，均为极性键，故D正确；
故选D．

点评 本题考查位置、结构与性质，为高频考点，把握元素的位置、性质、元素周期律为解答的关键，侧重分析与应用能力的考查，题目难度不大．