题目内容
目前半导体生产展开了一场“铜芯片”革命--在硅芯片上用铜代替铝布线，古老的金属铜在现代科技应用上取得了突破，用黄铜矿（主要成分为CuFeS2）生产粗铜，其反应原理如下：
（1）基态铜原子的外围电子排布式为 ，硫、氧元素相比，第一电离能较大的元素是 （填元素符号）．
（2）反应①、②中均生成有相同的气体分子，该分子的中心原子杂化类型是 ，其立体结构是 ．
（3）某学生用硫酸铜溶液与氨水做了一组实验：CuSO4溶液
蓝色沉淀
沉淀溶解，得到深蓝色透明溶液．写出蓝色沉淀溶于氨水的离子方程式 ；深蓝色透明溶液中的阳离子（不考虑H+）内存在的全部化学键类型有 ．
（4）铜是第四周期最重要的过渡元素之一，其单质及化合物具有广泛用途，铜晶体中铜原子堆积模型为 ；铜的某种氧化物晶胞结构如图所示，若该晶体的密度为d g/cm3，阿伏加德罗常数的值为NA，则该晶胞中铜原子与氧原子之间的距离为 pm．（（用含d和NA的式子表示）．
（1）基态铜原子的外围电子排布式为
（2）反应①、②中均生成有相同的气体分子，该分子的中心原子杂化类型是
（3）某学生用硫酸铜溶液与氨水做了一组实验：CuSO4溶液
| 氨水 |
| 氨水 |
（4）铜是第四周期最重要的过渡元素之一，其单质及化合物具有广泛用途，铜晶体中铜原子堆积模型为
考点：晶胞的计算,原子核外电子排布,配合物的成键情况,原子轨道杂化方式及杂化类型判断
专题：
分析：（1）Cu位于第四周期ⅤⅡB族，是29号元素，基态铜原子的价电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1；同主族元素第一电离能自上而下逐渐减小；
（2）由（1）分析知反应①②生成的相同气体分子是SO2，SO2中价层电子对个数=2+
（6-2×2）=3，且含有一个孤电子对，所以其空间构型是V型，S原子采用sp2杂化；
（3）硫酸铜溶液与氨水生成氢氧化铜，氢氧化铜溶于过量的氨水，形成[Cu（NH3）4]2+离子，离子中存在共价键、配位键；
（4）铜晶体中铜原子堆积模型为面心立方最密堆积，由均摊法计算氧化亚铜晶胞中Cu原子和O原子的数目，根据密度计算公式ρ=
计算出体积，再计算铜原子与氧原子之间的距离即可．
（2）由（1）分析知反应①②生成的相同气体分子是SO2，SO2中价层电子对个数=2+
| 1 |
| 2 |
（3）硫酸铜溶液与氨水生成氢氧化铜，氢氧化铜溶于过量的氨水，形成[Cu（NH3）4]2+离子，离子中存在共价键、配位键；
（4）铜晶体中铜原子堆积模型为面心立方最密堆积，由均摊法计算氧化亚铜晶胞中Cu原子和O原子的数目，根据密度计算公式ρ=
| m |
| V |
解答：
解：（1）Cu位于第四周期ⅤⅡB族，是29号元素，基态铜原子的价电子排布式为3d104s1；同主族元素第一电离能自上而下逐渐减小，所以第一电离能较大的是氧；
故答案为：3d104s1；O；
（2）由（1）分析知反应①②生成的相同气体分子是SO2，SO2中价层电子对个数=2+
（6-2×2）=3，所以S原子采用sp2杂化，由于含有一个孤电子对，其空间构型是V型；
故答案为：sp2；V型；
（3）硫酸铜溶液与氨水生成氢氧化铜蓝色沉淀，氢氧化铜溶于过量的氨水，形成[Cu（NH3）4]2+离子，蓝色沉淀溶于氨水的离子方程式为Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，深蓝色透明溶液中的阳离子（不考虑H+）内存在的全部化学键类型有共价键、配位键，
故答案为：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O；共价键、配位键；
（4）铜晶体中铜原子堆积模型为面心立方最密堆积，在铜的某种氧化物晶胞中，O原子在晶胞的顶点和体心，故O原子数=
×8+1=2，Cu原子全部在体心，故Cu原子数=4，即一个氧化亚铜晶胞中有2个O原子和4个Cu原子，根据密度计算公式ρ=
可知，体积V=
=
cm3，所以晶胞的边长为
cm，根据晶胞的结构图可知，晶胞中铜原子与氧原子之间的距离晶胞边长的
，所以该晶胞中铜原子与氧原子之间的距离为
×
cm=
×10-10pm，
故答案为：面心立方最密堆积；
×10-10．
故答案为：3d104s1；O；
（2）由（1）分析知反应①②生成的相同气体分子是SO2，SO2中价层电子对个数=2+
| 1 |
| 2 |
故答案为：sp2；V型；
（3）硫酸铜溶液与氨水生成氢氧化铜蓝色沉淀，氢氧化铜溶于过量的氨水，形成[Cu（NH3）4]2+离子，蓝色沉淀溶于氨水的离子方程式为Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，深蓝色透明溶液中的阳离子（不考虑H+）内存在的全部化学键类型有共价键、配位键，
故答案为：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O；共价键、配位键；
（4）铜晶体中铜原子堆积模型为面心立方最密堆积，在铜的某种氧化物晶胞中，O原子在晶胞的顶点和体心，故O原子数=
| 1 |
| 8 |
| m |
| V |
| m |
| ρ |
| ||
| d |
| 3 |
| ||
| ||
| 4 |
| ||
| 4 |
| 3 |
| ||
| ||
| 4 |
| 3 |
| ||
故答案为：面心立方最密堆积；
| ||
| 4 |
| 3 |
| ||
点评：本题主要考查了晶胞的计算、核外电子排布、杂化轨道方式以及分子构型和配合物的内容，综合性较强，难度中等，利用均摊法计算晶胞的组成．
练习册系列答案
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| 5 |
| 2 |
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