题目内容
12.| A. | 板间电场强度大小为$\frac{3mg}{q}$ | |
| B. | 质点在板间运动的过程中与它从板的右端运动到光屏的过程中速度变化相同 | |
| C. | 若仅将滑片P向下滑动一段后,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点将不会垂直打在光屏上 | |
| D. | 若仅将两平行板的间距变大一些,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点依然会垂直打在光屏上 |
分析 质点先在电场和重力场的复合场中做类平抛运动,要垂直打在M屏上,离开出场后,质点一定打在光屏的上方,做斜上抛运动.质点从离开电场后到垂直打在M屏上过程是平抛运动的逆运动,采用运动的分解方法可知,分析质点类平抛运动与斜上抛的关系,确定加速度关系,求出板间场强.
解答 解:A、质点的轨迹如图所示,![]()
设质点在板间运动的过程中加速度大小为a,则有质点离开电场时竖直分速度大小${v}_{y}^{\;}$=$a{t}_{1}^{\;}=\frac{qE-mg}{m}•\frac{l}{{v}_{0}^{\;}}$,质点离开电场后运动过程其逆过程是平抛运动,则${v}_{y}^{\;}$=$g{t}_{2}^{\;}=g\frac{2l}{{v}_{0}^{\;}}$,联立解得$\frac{3mg}{q}$,故A正确;
B、质点先在水平放置的两平行金属板间做类平抛运动,要垂直打在M屏上,离开电场后,质点一定打在屏的上方,做斜上抛运动.否则,质点离开电场后轨迹向下弯曲,质点不可能垂直打在M板上.质点在板间的类平抛运动和离开电场后的斜上抛运动,水平方向都不受外力,都做匀速直线运动,速度都等于${v}_{0}^{\;}$,而且${v}_{0}^{\;}$方向水平,质点垂直打在M板上时速度也水平,根据质点的轨迹弯曲方向可知两个过程质点的合力方向相反,加速度方向相反,则速度变化量方向相反.故B错误
C、若仅将滑片P向下滑动一段后,R的电压减小,电容器的电压要减小,电量要减小,由于二极管具有单向导电性,所以电容器不能放电,电量不变,板间电压不变,所以质点的运动情况不变,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点依然会垂直打在光屏上,故C错误
D、若仅将两平行板的间距变大一些,电容器电容减小,由$\frac{Q}{U}$知U不变,电量要减小,但由于二极管具有单向导电性,所以电容器不能放电,电量不变,根据推论可知板间电场强度不变,所以质点的运动情况不变,再让该质点从N点以水平速度${v}_{0}^{\;}$射入板间,质点依然会垂直打在光屏上,故D正确
故选:AD
点评 本题关键抓住两个运动轨迹的特点,巧用逆向思维分析电场外质点的运动情况.要知道运动的合成与分解是研究曲线运动的常用方法,要灵活运用.
| A. | 导体棒ab两次上升的最大高度比较,有H=h | |
| B. | 导体棒ab两次上升都做匀减速直线运动 | |
| C. | 有磁场时,导体棒ab在向上运动中受到沿导轨平面向下的、大小逐渐减小的安培力作用 | |
| D. | 有磁场时,导体棒ab在向上运动时,电阻中有由M流向P、大小逐渐减小的电流 |
| A. | B. | C. | D. |
| A. | 初速度越大,它通过的路程越长 | |
| B. | 它在这段时间的中间时刻速度越大,通过路程越长 | |
| C. | 在这段时间内平均速度越大,通过路程越长 | |
| D. | 末速度越大,通过路程越长 |