题目内容
下列说法正确的是( )
| A、含硅材料广泛用于太阳能电板、半导体材料、光纤通讯以及建筑材料等 |
| B、水晶项链和餐桌上的瓷盘都是硅酸盐制品 |
| C、工艺师利用稀盐酸刻蚀石英制作艺术品 |
| D、粗硅制备单晶硅不涉及氧化还原反应 |
考点:硅和二氧化硅
专题:碳族元素
分析:A.硅和硅的化合物在现代信息技术中应用广泛,如用于制造计算机芯片的材料是硅;
B.餐桌上的瓷盘是陶瓷,是硅酸盐制品,水晶的主要成分是二氧化硅;
C.氢氟酸能够与二氧化硅反应生成四氟化硅气体;
D.有化合价变化的反应是氧化还原反应.
B.餐桌上的瓷盘是陶瓷,是硅酸盐制品,水晶的主要成分是二氧化硅;
C.氢氟酸能够与二氧化硅反应生成四氟化硅气体;
D.有化合价变化的反应是氧化还原反应.
解答:
解:A.硅材料广泛应用于信息、通讯等领域,如:光导纤维的成分是二氧化硅,高纯度的硅单质广泛用于制作硅能电池,故A正确;
B.餐桌上的瓷盘是陶瓷,主要成分是硅酸盐,是硅酸盐制品,水晶的主要成分是二氧化硅,不属于硅酸盐制品,故B错误;
C.石英为SiO2,可以用HF(氢氟酸)来刻蚀玻,反应的化学方程式为:SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O,故C错误;
D.粗硅制备单晶硅的反应是,Si+2Cl2
SiCl4,SiCl4+2H2
Si+4HCl,过程中涉及氧化还原反应,故D错误.
故选A.
B.餐桌上的瓷盘是陶瓷,主要成分是硅酸盐,是硅酸盐制品,水晶的主要成分是二氧化硅,不属于硅酸盐制品,故B错误;
C.石英为SiO2,可以用HF(氢氟酸)来刻蚀玻,反应的化学方程式为:SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O,故C错误;
D.粗硅制备单晶硅的反应是,Si+2Cl2
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故选A.
点评:本题考查硅和二氧化硅的性质,为高频考点,掌握粗硅的提纯是解答本题的关键,题目难度不大.
练习册系列答案
相关题目
粗盐提纯实验的部分操作如图所示,其中错误的是( )
| A、 取一定量的粗盐 |
| B、 溶解 |
| C、 过滤 |
| D、 蒸发 |
下列溶液一定是碱性的是( )
| A、pH>7的某电解质的溶液 |
| B、c(OH-)>1×10-7mol/L |
| C、溶液中含有OH- |
| D、溶液中c(OH-)>c(H+) |
水热法制备纳米颗粒Y(化合物)的反应为aFe2++2S2O32-+O2+4OH-=Y+S4O62-+2H2O,下列说法中,不正确的是( )
| A、a=4 | ||
| B、每有1molO2参加反应,转移的电子总数为4mol | ||
| C、只有S2O32-是还原剂 | ||
D、Fe2+中有
|
工业上以铬铁矿(主要成分为FeO?Cr2O3)、碳酸钠、氧气和硫酸为原料生产重铬酸钠晶体(Na2Cr2O7?2H2O),其主要反应为:(1)4FeO?Cr2O3+8Na2CO3+7O2
8Na2CrO4+2Fe2O3+8CO2(2)2Na2CrO4+H2SO4?Na2SO4+Na2Cr2O7+H2O下列说法正确的是( )
| 高温 |
| A、反应(1)和(2)均为氧化还原反应 |
| B、反应(1)的氧化剂是O2,氧化产物是Na2CrO4和Fe2O3 |
| C、高温下O2的氧化性强于Fe2O3,弱于Na2CrO4 |
| D、反应(1)中每生成2molFe2O3时电子转移4mol |
SiO2是一种化工原料,可以制备一系列物质(如图所示).下列说法错误的是( )

| A、高炉炼铁时,加入石灰石将铁矿石中的脉石(主要成分为SiO2)转化为易熔的炉渣 |
| B、纯净的二氧化硅和单晶硅都是信息产业的重要基础材料 |
| C、用盐酸可除去石英砂(主要成分为SiO2)中少量的碳酸钙 |
| D、图中所含反应都不属于氧化还原反应 |
下列关于氯水的叙述正确的是( )
| A、新制氯水中只含Cl2和H2O分子 |
| B、新制氯水可使蓝色石蕊试纸先变红后褪色 |
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下列说法正确的是( )
| A、在标准状况下,11.2L某气体的质量为22g,则该气体的相对分子质量是44g/mol |
| B、16g O2和16g O3含的氧原子个数一样多 |
| C、在标准状况下,水、氧气和氮气分子间的平均距离都相等 |
| D、1mol氯化钙溶于水配成1L溶液,所得溶液中Cl-的物质的量浓度为1mol/L |
下列说法中错误的是( )
| A、若XY4分子中X原子处于正四面体的中心,则XY4分子为非极性分子 |
| B、C2H5OH与C2H5Br相比,前者的相对分子质量远小于后者,而沸点却远高于后者,其原因是前者的分子间存在氢键 |
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| D、短周期元素离子aXm+和bYn-具有相同的电子层结构,则a>b |