题目内容

5.已知A、B、C、D、E五种元素都是元素周期表中前四周期元素,原子序数依次增大,E的价电子排布式为3d104s1.A、B、C、D四种短周期元素在元素周期表中的相对位置如下表所示.
A
BCD
根据以上信息,回答下列问题:
(1)基态C原子含有5种能量不同的电子,其简单离子的电子排布式为1s22s22p6
(2)DA2+离子的中心原子的杂化轨道类型是sp3,其立体构型为V形.
(3)A所在主族元素的氢化物中,沸点最低的是HCl(填化学式);第一电离能比较:B<C (填“>”、“<”、“=”).
(4)E单质的晶体堆积方式为面心立方密堆积,空间利用率为74%;C与D形成的化合物中化学键类型为共价键.
(5)E的氧化物E2O为半导体材料,在其立方晶胞内部有4个氧原子,其余氧原子位于面心和顶点,则该晶胞中有16个E原子.若该晶体的密度为ρ g/cm3,则晶胞参数a=$\root{3}{\frac{1152}{ρ•{N}_{A}}}$cm (列出表达式即可).

分析 A、B、C、D、E五种元素都是元素周期表中前四周期元素,原子序数依次增大,E的价电子排布式为3d104s1,则E为Cu;由A、B、C、D四种短周期元素在元素周期表中的相对位置,可知A为F元素、B为Na、C为Al、D为Cl.
(1)C为Al,原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p1,失去3s、3p能级电子形成铝离子;
(2)计算ClF2+离子的中Cl原子孤电子对数、价层电子对数,进而确定杂化轨道与空间构型;
(3)HF分子之间存在氢键,沸点最高,其它氢化物分子间为范德华力,相对分子质量越大,范德华力越强,沸点越高;
同周期随原子序数增大元素第一电离能呈增大趋势;
(4)E为Cu,单质的晶体堆积方式为面心立方密堆积,利用均摊法计算晶胞中Cu原子数目,设Cu原子半径为r,则晶胞棱长为4r×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=2$\sqrt{2}$r,空间利用率=$\frac{晶胞中原子总体积}{晶胞体积}$×100%;
C与D形成的化合物为AlCl3,属于共价化合物;
(5)利用均摊法计算晶胞中O原子数目,结合化学式E2O计算晶胞中Cu原子数目,再计算晶胞质量,结合m=ρV计算晶胞棱长.

解答 解:A、B、C、D、E五种元素都是元素周期表中前四周期元素,原子序数依次增大,E的价电子排布式为3d104s1,则E为Cu;由A、B、C、D四种短周期元素在元素周期表中的相对位置,可知A为F元素、B为Na、C为Al、D为Cl.
(1)C为Al,原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p1,原子中有5种能量不同的电子,失去3s、3p能级电子形成铝离子,铝离子核外电子排布式为:1s22s22p6
故答案为:5;1s22s22p6
(2)ClF2+离子的中Cl原子孤电子对数=$\frac{7-1-1×2}{2}$=2、价层电子对数=2+2=4,Cl原子采取sp3杂化轨,离子空间构型为V形,
故答案为:sp3;V形;
(3)HF分子之间存在氢键,沸点最高,其它氢化物分子间为范德华力,相对分子质量越大,范德华力越强,沸点越高,故HCl的沸点最低;
同周期随原子序数增大元素第一电离能呈增大趋势,故第一电离能Na<Al,
故答案为:HCl;<;
(4)E为Cu,单质的晶体堆积方式为面心立方密堆积,晶胞中Cu原子数目为8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,设Cu原子半径为r,则晶胞中Cu原子总体积为4×$\frac{4}{3}$πr3,晶胞棱长为4r×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=2$\sqrt{2}$r,晶胞体积为(2$\sqrt{2}$r)3=16$\sqrt{2}$r3,空间利用率=$\frac{4×\frac{4}{3}π{r}^{3}}{16\sqrt{2}{r}^{3}}$×100%=74%,
C与D形成的化合物为AlCl3,属于共价化合物,含有共价键,
故答案为:面心立方密堆积;74%;共价键;
(5)晶胞中O原子数目=4+8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=8,由化学式Cu2O可知晶胞中Cu原子数目8×2=16,晶胞质量为8×$\frac{144}{{N}_{A}}$g,则:ρ g/cm3×(a cm)3=8×$\frac{144}{{N}_{A}}$g,解得a=$\root{3}{\frac{1152}{ρ•{N}_{A}}}$,
故答案为:16;$\root{3}{\frac{1152}{ρ•{N}_{A}}}$.

点评 本题是对物质结构与性质的考查,涉及元素周期表、核外电子排布、杂化方式与空间构型判断、氢键、晶胞结构与计算,是对学生综合能力的考查,(4)(5)为易错点,需要学生具备一定的空间想象与数学计算能力,难度中等.

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