10．
2013年12月2日凌晨，我国发射了“嫦娥三号”登月探测器．“嫦娥三号”由地月转移轨道到环月轨道飞行的示意图如图所示，P点为变轨点，则“嫦娥三号”（ ）
2013年12月2日凌晨，我国发射了“嫦娥三号”登月探测器．“嫦娥三号”由地月转移轨道到环月轨道飞行的示意图如图所示，P点为变轨点，则“嫦娥三号”（ ）| A． | 经过P点的速率，轨道1的一定大于轨道2的 | |
| B． | 经过P点的加速度，轨道1的一定大于轨道2的 | |
| C． | 运行周期，轨道1的等于轨道2的 | |
| D． | 具有的机械能，轨道1的一定大于轨道2的 |
如图所示，带有半径为R的$\frac{1}{4}$光滑圆弧的小车其质量为M，置于光滑水平面上，一质量为m的小球从圆弧的最顶端由静止释放，则球离开小车时，球和车的速度大小分别为多少？（重力加速度为g）
8．以下有关近代物理内容的若干叙述正确的是（ ）
| A． | 一个原子核在一次衰变中可同时放出α、β、和γ三种射线 | |
| B． | 比结合能越大，表示原子核中核子结合得越牢固，原子核越稳定 | |
| C． | 重核的裂变过程质量增大，轻核的聚变过程有质量亏损 | |
| D． | 根据玻尔理论，氢原子的核外电子由较高能级跃迁到较低能级时，要释放一定频率的光子，电子的动能增大，电势能减小 |
7．
如图所示，在某一均匀介质中，A、B是振动情况完全相同的两个波源，其简谐运动表达式均为x=0.1sin（20πt）m，介质中P点与A、B两波源间的距离分别为4m和5m，两波源形成的简谐波分别沿AP、BP方向传播，波速都是10m/s．以下判断正确的是（ ）
如图所示，在某一均匀介质中，A、B是振动情况完全相同的两个波源，其简谐运动表达式均为x=0.1sin（20πt）m，介质中P点与A、B两波源间的距离分别为4m和5m，两波源形成的简谐波分别沿AP、BP方向传播，波速都是10m/s．以下判断正确的是（ ）| A． | 简谐横波的波长是1m | B． | 简谐横波的波长是0.5m | ||
| C． | P点是振动加强点 | D． | P点是振动减弱点 |
6．
如图所示，一定质量的理想气体，从图示A状态开始，经历了B、C，最后到D状态，下列判断中正确的是（ ）
如图所示，一定质量的理想气体，从图示A状态开始，经历了B、C，最后到D状态，下列判断中正确的是（ ）| A． | A→B温度升高，压强不变 | B． | B→C体积不变，压强变大 | ||
| C． | B→C体积不变，压强不变 | D． | C→D体积变小，压强变大 |
5．
2013年12月2日，我国探月卫星“嫦娥三号”在西昌卫星发射中心成功发射升空，沿地月转移轨道直奔月球，飞行轨道如图所示．嫦娥三号经过地月转移轨道在P点调整后进入环月圆轨道，再调整后进入环月椭圆轨道，最后由近月点Q沿抛物线下降，于2013年12月14日在月球虹湾成功软着陆．在实施软着陆过程中，嫦娥三号离月球表面4m高时最后一次悬停，确认着陆点．已知嫦娥三号总质量为M在最后一次悬停时，反推力发动机对其提供的反推力为F，引力常量为G，月球半径为R，忽略月球自转及地球对月球的影响．以下说法正确的是（ ）
2013年12月2日，我国探月卫星“嫦娥三号”在西昌卫星发射中心成功发射升空，沿地月转移轨道直奔月球，飞行轨道如图所示．嫦娥三号经过地月转移轨道在P点调整后进入环月圆轨道，再调整后进入环月椭圆轨道，最后由近月点Q沿抛物线下降，于2013年12月14日在月球虹湾成功软着陆．在实施软着陆过程中，嫦娥三号离月球表面4m高时最后一次悬停，确认着陆点．已知嫦娥三号总质量为M在最后一次悬停时，反推力发动机对其提供的反推力为F，引力常量为G，月球半径为R，忽略月球自转及地球对月球的影响．以下说法正确的是（ ）| A． | 嫦娥三号在环月圆轨道的P点加速，才能进入环月椭圆轨道 | |
| B． | 月球的质量为$\frac{FR}{MG}$ | |
| C． | 月球的第一宇宙速度为$\sqrt{\frac{FR}{M}}$ | |
| D． | 嫦娥三号沿椭圆轨道运动至P点和沿圆轨道运动至P点时，加速度相同 |
1．霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图1所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH=K$\frac{IB}{d}$，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数．某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数．
①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图1所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与M（填“M”或“N”）端通过导线相连．
②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示．根据表中数据在给定区域内画出UH-I图线（如图2），利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-5V•m•A-1•T-1（保留2位有效数字）．
③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图3所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向b（填“a”或“b”），S2掷向c（填“c”或“d”）．为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中．在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件S1和E（填器件代号）之间．
0 142614 142622 142628 142632 142638 142640 142644 142650 142652 142658 142664 142668 142670 142674 142680 142682 142688 142692 142694 142698 142700 142704 142706 142708 142709 142710 142712 142713 142714 142716 142718 142722 142724 142728 142730 142734 142740 142742 142748 142752 142754 142758 142764 142770 142772 142778 142782 142784 142790 142794 142800 142808 176998
| I（×10-3A） | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
| UH（×10-3V） | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图1所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与M（填“M”或“N”）端通过导线相连．
②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示．根据表中数据在给定区域内画出UH-I图线（如图2），利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-5V•m•A-1•T-1（保留2位有效数字）．
③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图3所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向b（填“a”或“b”），S2掷向c（填“c”或“d”）．为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中．在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件S1和E（填器件代号）之间．