题目内容
6.如图所示,一定质量的理想气体,从图示A状态开始,经历了B、C,最后到D状态,下列判断中正确的是( )A. | A→B温度升高,压强不变 | B. | B→C体积不变,压强变大 | ||
C. | B→C体积不变,压强不变 | D. | C→D体积变小,压强变大 |
分析 由图可知图象为V-T图象,根据图象可知体积与热力学温度的关系;根据气体状态方程$\frac{PV}{T}=C$和已知的变化量去判断其它的物理量.
解答 解:A、由图象可知,在A→B的过程中,气体温度升高体积变大,且体积与温度成正比,由$\frac{PV}{T}=C$,气体压强不变,故A正确;
B、由图象可知,在B→C的过程中,体积不变而热力学温度降低,由$\frac{PV}{T}=C$可知,压强P减小,故B错误,C错误;
D、由图象可知,在C→D的过程中,气体温度不变,体积减小,由$\frac{PV}{T}=C$可知,压强P增大,故D正确;
故选:AD.
点评 本题考查气体的状态方程中对应的图象,在V-T图象中等容线为过原点的直线.要注意研究过程中哪些量不变,哪些量变化.
练习册系列答案
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16.如图所示,将一个原来不带电的验电器放在一个带正电的金属球附近,发现验电器的箔片会张开,则下列说法,正确的是( )
A. | 验电器的箔片带负电 | |
B. | 验电器的小球上带负电 | |
C. | 若用一个金属网罩把验电器罩住,则验电器的箔片将合拢 | |
D. | 若用导线连接验电器的小球和带正电的金属球,则验电器的箔片将完全闭合 |
17.关于平抛运动,以下说法正确的是( )
A. | 平抛运动是匀变速曲线运动 | |
B. | 平抛运动是非匀变速曲线运动 | |
C. | 平抛运动空中飞行时间只由由初速度决定 | |
D. | 平抛运动落地时速度可以垂直水平地面 |
14.在做“研究平抛运动”的实验时,让小球多次沿同一轨道运动,通过描点法画出小球做平抛运动的轨迹.为了能较准确地描绘运动轨迹,下面说法正确的是( )
A. | 通过调节使斜槽的末端保持水平 | |
B. | 每次释放小球的位置必须不同 | |
C. | 每次必须由静止释放小球 | |
D. | 记录小球位置用的铅笔每次必须严格地等距离下降 | |
E. | 小球运动时不应与木块上的白纸(或方格纸)相接触 | |
F. | 将球的位置记录在纸上后,取下纸,用直尺将点连成折线 |
1.霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=K$\frac{IB}{d}$,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.
①若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(填“M”或“N”)端通过导线相连.
②已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在给定区域内画出UH-I图线(如图2),利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-5V•m•A-1•T-1(保留2位有效数字).
③该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(填“a”或“b”),S2掷向c(填“c”或“d”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件S1和E(填器件代号)之间.
I(×10-3A) | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
UH(×10-3V) | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
①若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(填“M”或“N”)端通过导线相连.
②已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在给定区域内画出UH-I图线(如图2),利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-5V•m•A-1•T-1(保留2位有效数字).
③该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(填“a”或“b”),S2掷向c(填“c”或“d”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件S1和E(填器件代号)之间.
18.光滑平行导轨MN和PQ与水平面夹角为θ,上端连接,导轨平面和磁感应强度为B的匀强磁场垂直,导轨间距为L,电阻不计.质量为m的金属棒ab始终与导轨保持垂直接触且从静止开始下滑,ab接入电路的部分电阻为R,经过时间t流过棒ab的电流为I,金属棒的速度大小为v,则金属棒ab在这一过程中( )
A. | ab棒运动的平均速度大于$\frac{v}{2}$ | |
B. | 此过程中电路中产生的焦耳热为Q=I2Rt | |
C. | 金属棒ab沿轨道下滑的最大速度为$\frac{mgsinθ}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
D. | 此时金属棒的加速度大小为a=gsinθ-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{mR}$ |
15.A、B两束不同频率的光波均能使某金属发生光电效应,如果产生光电流的最大值分别为IA、IB,且IA<IB,则下列说法中正确的是( )
A. | 照射光的波长λA>λB | |
B. | 照射光的光子能量EA<EB | |
C. | 单位时间内照射到金属板的光子数NA<NB | |
D. | 照射光的频率vA<vB |