【题目】GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。
A. B. C.[Ne] D.
(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______;所含元素中电负性最大的是___(填元素符号),C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为_______;其中Al的配位数为_________。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则 =________。
【题目】下表是A、B、X、D、E五种有机物的有关信息。
A | A的结构简式为 |
B | ①能使溴的四氯化碳溶液褪色 ②比例模型为,能与水在一定条件下反应生成D |
C | ①由C、H两种元素组成 ②球棍模型为 |
D | ①由C、H、O三种元素组成 ②能与Na反应,但不能与NaOH溶液反应 |
E | ①由C、H、O三种元素组成 ②球棍模型为 |
(1)B与溴的四氯化碳溶液反应的生成物的名称是___。
(2)写出在浓硫酸作用下,C与浓硝酸反应的化学方程式___。
(3)A与足量NaOH溶液共热发生皂化反应的化学方程式是___。
(4)若以B为主要原料合成乙酸,其合成路线如图所示:
①F物质官能团的名称是___。
②写出反应②的化学方程式___,反应类型为___。
③工业上以B为原料可以合成一种有机高分子,写出反应的化学方程式___。
(5)写出D与E反应的化学方程式___。