【题目】砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As 原子的核外电子排布式_____________。
(2)根据元素周期律,原子半径 Ga_____________As(填“>”或“<”,下同),第一电离能 Ga_____________As。
(3)AsCl3 分子的立体构型为_____________。
(4)锗(Ge)是典型的半导体元素,比较下表中锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因_____________。
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔点/℃ | 49.5 | 26 | 146 |
沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约 400 |