题目内容
15.下列说法在正确的是( )| A. | 爱因斯坦的光子说成功地解释了光电效应现象,光电子的最大初动能与入射光子的频率成正比 | |
| B. | 卢瑟福通过α粒子散射实验建立了原子核式结构模型 | |
| C. | 原子核的比结合能大小可反映原子核的稳定程度,该值随质量数的增加而增大 | |
| D. | 波尔的原子模型,成功引入了量子化假说 | |
| E. | 氢原子核外电子从半径较小的轨道跃迁到半径较大的轨道时,电子的动能减小,电势能增大,原子能量增大 |
分析 知道光电效应中光子的最大初动能与入射光的频率有关;
比结合能大小可反映原子核的稳定程度,且比结合能和质量数与核子数的比值有关;
卢瑟福通过α粒子散射实验建立了原子核式结构模型;
波尔的原子模型,提出量子化;
库仑力对电子做负功,所以动能变小,电势能变大(动能转为电势能),因为吸收了光子,总能量变大.
解答 解:A、因斯坦的光子说成功地解释了光电效应现象,但根据光电效应方程:Ekm=hv-W0可知,光电子的最大初动能与入射光子的频率不成正比,只是线性关系,故A错误;
B、卢瑟福通过α粒子散射实验建立了原子核式结构模型,故B正确;
C、比结合能越大,表示原子核中核子结合得越牢靠,原子核越稳定,比结合能并非随着质量数的最大而增大,故C错误;
D、波尔的原子模型,成功引入了量子化假说,故D正确;
E、库仑力对电子做负功,所以动能变小,电势能变大(动能转为电势能),因为吸收了光子,总能量变大,故E正确;
故选:BDE.
点评 本题考查物理学史,是常识性问题,对于物理学上重大发现、发明、著名理论要加强记忆,这也是考试内容之一,注意结合能与比结合能的区别,及理解量子化观点.
练习册系列答案
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5.下列关于瞬时速度的说法中,正确的是( )
| A. | 瞬时速度可以精确地描述物体做变速运动的快慢,但不能反映物体运动的方向 | |
| B. | 瞬时速度的方向与位移的方向相同 | |
| C. | 在匀速直线运动中,瞬时速度的大小和方向都不变 | |
| D. | 某物体在某段时间内任一时刻的瞬时速度都为零,则该物体在这段时间内静止 |
6.
某电容式话筒的原理示意图如图所示,E为电源,R为定值电阻,金属薄片P和Q构成一平行板电容器,对着话筒说话时,P振动,Q可视为不动,在P、Q间距增大过程中( )
| A. | P、Q构成的电容器的电容减小 | B. | P、Q两板间的电场强度减小 | ||
| C. | 电容器的电荷量保持不变 | D. | M点的电势比N点的高 |
10.
如图所示,水平地面上有一个坑,其竖直截面为半圆,O为圆心,AB为沿水平方向的直径.若在A点以初速度v1沿AB方向抛出一个小球1,小球将击中坑壁上的最低点D点;若A点小球1被抛出的同时,在C点以初速度v2沿BA方向平抛另一个相同质量的小球2并也能击中D点.已知∠COD=60°,且不计空气阻力,则以下判断中正确的是( )
| A. | 小球1先落到D点 | |
| B. | 小球2在此过程中增加的动能大于小球1在此过程中增加的动能 | |
| C. | 小球1与小球2的初速度之比v1:v2=$\sqrt{3}$:3 | |
| D. | 在击中D点前瞬间,重力对小球1和小球2做功的瞬时功率之比为$\sqrt{2}$:1 |
20.图甲为某同学描绘额定电压为2.5V的小灯泡的伏安特性曲线的实验电路图.

(1)开关S闭合之前,图甲中滑动变阻器的滑片应该置于A端(选填“A”、“B”或“AB中间”).
(2)根据电路图甲,用笔画线代替导线,将图乙中的实验电路连接完整.
(3)实验中测得有关数据如下表所示:
根据表中的实验数据,在图丙中画出小灯泡的伏安特性曲线.
(4)把该灯泡与一电动势E=3V、内阻r=5Ω的电源串联在一起,则灯泡消耗的电功率为0.429W.
(1)开关S闭合之前,图甲中滑动变阻器的滑片应该置于A端(选填“A”、“B”或“AB中间”).
(2)根据电路图甲,用笔画线代替导线,将图乙中的实验电路连接完整.
(3)实验中测得有关数据如下表所示:
| U/V | 0.40 | 0.80 | 1.20 | 1.60 | 2.00 | 2.40 | 2.80 |
| I/A | 0.20 | 0.32 | 0.40 | 0.46 | 0.50 | 0.52 | 0.54 |
(4)把该灯泡与一电动势E=3V、内阻r=5Ω的电源串联在一起,则灯泡消耗的电功率为0.429W.
4.一物体由P点开始做自由落体运动,依次经过P、Q、R三点,经过Q点的速度为v,到R点的速度为3v,则PQ:QR等于( )
| A. | 1:3 | B. | 1:5 | C. | 1:6 | D. | 1:8 |
7.
如图所示,ABC为与匀强磁场垂直的边长为a的等边三角形,磁场垂直于纸面向外,比荷为$\frac{e}{m}$的电子以速度v0从A点沿AB方向射入,现欲使电子能经过BC边的中点,则磁感应强度B的取值应为( )
| A. | B=$\frac{2\sqrt{3}m{v}_{0}}{ae}$ | B. | B=$\frac{2\sqrt{3}m{v}_{0}}{3ae}$ | C. | B=$\frac{\sqrt{3}m{v}_{0}}{ae}$ | D. | B=$\frac{\sqrt{3}m{v}_{0}}{3ae}$ |