题目内容

6.如图,光滑绝缘的水平面桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导体框.匀强磁场区域宽度为2L、磁感应强度为B、方向垂直桌面向下.导体框的一边跟磁场边界平行,在外力作用下以恒定速度v穿过磁场.下列说法正确的是(  )
A.穿过磁场过程,外力做的功为$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$
B.穿过磁场过程,导体框产生的焦耳热为$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$
C.进入磁场过程,通过导体框某一横截面的电量为$\frac{{B{L^2}}}{R}$
D.进入和离开磁场过程,通过导体框的电流大小都为$\frac{BLv}{R}$,且方向相同

分析 A、根据安培力公式F=BIL,结合法拉第电磁感应定律,与闭合电路欧姆定律,及力做功表达式,即可求解;
B、根据焦耳定律Q=I2Rt,即可求解;
C、依据电量表达式q=It,及法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,即可推导电量的综合表达式,从而求解;
D、根据楞次定律,结合法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,即可求解.

解答 解:A、根据法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,则线圈穿过磁场过程产生的感应电流大小I=$\frac{BLv}{R}$,依据安培力公式F=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,
根据力做功表达式W=FS,那么只有在进与出磁场过程中,才有安培力,因此安培力做功W=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$×2L=$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$,由于在外力作用下以恒定速度v穿过磁场,则外力做的功为$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$,故A正确;
B、由上分析可知,I=$\frac{BLv}{R}$,根据焦耳定律Q=I2Rt,那么穿过磁场过程,导体框产生的焦耳热为Q=($\frac{BLv}{R}$)2×R×$\frac{2L}{v}$=$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$,故B正确;
C、依据电量表达式q=It,及法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,即可推导电量的综合表达式q=$\frac{△∅}{R}$,
那么进入磁场过程,通过导体框某一横截面的电量为q=$\frac{{B{L^2}}}{R}$,故C正确;
D、根据楞次定律,可知,进入和离开磁场过程,通过导体框的电流方向不同,但它们的大小是相同,即为$\frac{BLv}{R}$,故D错误;
故选:ABC.

点评 考查法拉第感应定律与闭合电路欧姆定律,及楞次定律的内容,掌握安培力与力做功表达式,理解电量的综合表达式的推导,注意当线圈完全进入磁场时,线圈中没有感应电流,只有在进与出过程中,才有磁通量的变化.

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