题目内容
9.分析 根据对棒受力分析,结合平衡条件,及安培力表达式,再根据闭合电路欧姆定律,即可求解.
解答 解:根据左手定则可知,棒受力向左,要提起重物,安培力 F=Mg
且 F=BIL
电路中的电流 $I=\frac{E}{R+r}$
联立得:B=0.5T
答:竖直向上的匀强磁场的磁感应强度B为0.5T.
点评 该题考查闭合电路欧姆定律和安培力的应用,掌握平衡条件的内容,注意安培力表达式中的电流含义.
练习册系列答案
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3.骑自行车的人从静止开始沿直线运动,他在第1s内、第2s内、第3s内、第4s内通过的距离分别为1m、2m、3m、4m,关于这个运动,下列说法正确的是( )
| A. | 4 s末的瞬时速度为2.5 m/s? | B. | 4 s末的瞬时速度为4.0 m/s? | ||
| C. | 前4 s内的平均速度为2.5 m/s? | D. | 前4 s内的平均速度为4.0 m/s? |
13.
如图所示,在竖直平面内有一个两边平行相距为L的光滑竖直导轨,导轨顶端接有一个电阻R,电阻两端并有一个理想电压表,导轨间存在一个垂直于纸面向里的磁感应强度为B的匀强磁场,磁场宽度为2h,现有一个质量为m,电阻也为R的金属棒,从距磁场上边界为h处自由下落,导轨进入磁场后恰好作匀速直线运动并穿过匀强磁场.有关下列说法正确的是(重力加速度为g)( )
| A. | 导体棒在穿过磁场的过程中,电压表的示数为BL$\sqrt{2gh}$ | |
| B. | 导体棒在穿过磁场的过程中,电阻R产生的热量为mgh | |
| C. | 导体棒在穿过磁场的过程中,通过电阻R的电荷量为$\frac{2BLh}{R}$ | |
| D. | 导体棒在穿过磁场的过程中,克服安培力做功为mgh |
16.一学习小组学习了电阻的测量的方法后,想描绘一只硅二极管通正向电流时的伏安特性曲线.已知该二极管正向导通时电阻为几十到几百欧,其耐压值约为1.0V.实验室有如下器材:
A.干电池一节
B.电压表1,量程15V,内阻约几百千欧
C.电压表2,量程3V,内阻约一百千欧
D.电流表,量程10mA,内阻约几百欧
E.滑动变阻器1,最大阻值为1KΩ
F.滑动变阻器2,最大阻值为100Ω
G.导线若干,电键一个
①电压表应选C(请填器材前的字母).
②滑动变阻器应选F(请填器材前的字母).
③请将题图1所示未完成的电路图补充完整(硅二极管的符号为
).
④如图2所示,坐标图上的图线I为某硅光电池组的伏安特性曲线,通过图线I直接读出该硅光电池组的电动势为0.88V,短路电流为3.0mA,其内电阻Ω不是(填“是”或“不是”)定值.
⑤移动滑动变阻器的滑片,得到多组硅二极管的电流电压值如表,请根据表格中的数据在同一坐标纸上通过描点连线画出硅二极管的伏安特性曲线.
⑥根据你描绘的图线结合图线I,计算若用该硅光电池组直接给该硅二极管供电时(保证该硅光电池组为二极管输入正向电流),电池组的输出功率为1.37×10-3W,此时硅光电池组的内阻为110Ω,此时二极管的电阻为310Ω(此三空均保留三位有效数字).
A.干电池一节
B.电压表1,量程15V,内阻约几百千欧
C.电压表2,量程3V,内阻约一百千欧
D.电流表,量程10mA,内阻约几百欧
E.滑动变阻器1,最大阻值为1KΩ
F.滑动变阻器2,最大阻值为100Ω
G.导线若干,电键一个
①电压表应选C(请填器材前的字母).
②滑动变阻器应选F(请填器材前的字母).
③请将题图1所示未完成的电路图补充完整(硅二极管的符号为
| U/V | 0.00 | 0.12 | 0.28 | 0.40 | 0.50 | 0.56 | 0.60 | 0.64 | 0.68 |
| I/mA | 0.0 | 约0 | 约0 | 0.1 | 0.2 | 0.4 | 0.8 | 1.2 | 5.0 |
⑤移动滑动变阻器的滑片,得到多组硅二极管的电流电压值如表,请根据表格中的数据在同一坐标纸上通过描点连线画出硅二极管的伏安特性曲线.
⑥根据你描绘的图线结合图线I,计算若用该硅光电池组直接给该硅二极管供电时(保证该硅光电池组为二极管输入正向电流),电池组的输出功率为1.37×10-3W,此时硅光电池组的内阻为110Ω,此时二极管的电阻为310Ω(此三空均保留三位有效数字).