题目内容

19.在匀强磁场中的某一位置放置一条直导线,导线的方向与磁场方向垂直.先后在导线中通入不同的电流,导线所受的力也不同.以下图象描述的是导线受力的大小F 与通过导线的电流I 的关系,a、b 两点各代表一组F、I 的数据.其中正确的是(  )
A.B.C.D.

分析 根据安培力公式F=BIL写出表达式即可正确求解.

解答 解:在匀强磁场中,当电流方向与磁场垂直时所受安培力为:F=BIL,由于磁场强度B和导线长度L不变,因此F与I的关系图象为过原点的直线,故ACD错误,B正确.
故选:B.

点评 本题比较简单,考查了安培力公式F=BIL的理解和应用,考查角度新颖,扩展学生思维.

练习册系列答案
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4.在“描绘小灯泡的伏安特性曲线”的实验中,小灯泡的规格为“2.0V,0.5A”.备有下列器材:
A.电源E(电动势为3.0V,内阻不计)
B.电压表V1(量程0~3V,内阻约1kΩ)
C.电压表V2(量程0~15V,内阻约4kΩ)
D.电流表A1(量程0~3A,内阻约0.1Ω)
E.电流表A2(量程0~0.6A,内阻约0.6Ω)
F.滑动变阻器R1(0~5Ω,3.0A)
G.滑动变阻器R2(0~200Ω,1.25A)
H.开关和若干导线
为了尽可能准确地描绘出小灯泡的伏安特性曲线,请完成以下内容.
(1)实验中电压表应选用B,电流表应选用E,滑动变阻器应选用F(请填写选项前对应的字母).
(2)图甲是实物电路,请你不要改动已连接的导线,把还需要连接的导线补上.

(3)某同学完成该实验后,又找了另外两个元件,其中一个是由金属材料制成的,它的电阻随温度的升高而增大,而另一个是由半导体材料制成的,它的电阻随温度的升高而减小.他又选用了合适的电源、电表等相关器材后,对其中的一个元件进行了测试,测得通过其中的电流与加在它两端的电压数据如下表所示:
U/V0.400.600.801.001.201.501.60
I/A0.200.450.801.251.802.813.20
请根据表中数据在图乙中作出该元件的I-U图线;
该元件可能是由半导体(选填“金属”或“半导体”)材料制成的.
(4)在(3)的基础上,该同学进一步分析,如果让一节电动势为1.5V、内阻为0.5Ω的干电池只对该元件供电,则该元件消耗的功率为1.0W(结果保留两位有效数字).

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