题目内容
20．一个质量为25kg的小孩从高度为3.0m的弧形滑梯顶端由静止开始滑下，滑到底端时的速度为2.0m/s．取g=10m/s2，关于力对小孩做的功，以下结果正确的是（ ）| A． | 支持力做功50J | B． | 合外力做功500J | ||
| C． | 重力做功750J | D． | 克服阻力做功700J |
分析 支持力方向与速度方向垂直，不做功．由动能定理求合外力做功．根据下降的高度求出重力做功的大小，根据动能定理求出求出克服阻力做功．
解答 解：A、支持力与瞬时速度的方向总是垂直，故支持力不做功，做功为0J，故A错误；
B、由动能定理得：合外力做功 W合=$\frac{1}{2}m{v}^{2}$=$\frac{1}{2}×25×{2}^{2}$J=50J，故B错误．
C、小孩从顶端滑到底端的过程中，重力做功：WG=mgh=25×10×3J=750J．故C正确．
D、根据动能定理得：mgh-Wf=$\frac{1}{2}$mv2-0
得：克服阻力做功Wf=700J，故D正确．
故选：CD
点评 解决本题的关键要掌握功与能的关系，明确合外力做功等于动能的变化，重力做功多少，重力势能就减少多少．
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10．了解物理规律的发现过程，学人像科学家那样观察和思考，往往比掌握知识本身更重要．以下符合史实的是（ ）
| A． | 奥斯特发现电流周围存在磁场，并提出分子电流假说解释磁现象 | |
| B． | 库仑最早引入了场的概念，并提出用电场线描述电场 | |
| C． | 卡文迪许通过实验测定了万有引力常量的数值 | |
| D． | 牛顿将斜面实验的结论合理外推，间接证明了自由落体运动是匀变速直线运动 |
11．
如图所示，图中K、L、M为静电场中的三个相距较近的等势面．一带正电粒子射入此静电场中后，沿abcde轨迹运动．已知粒子在ab段做减速运动．下列判断中正确是（ ）
如图所示，图中K、L、M为静电场中的三个相距较近的等势面．一带正电粒子射入此静电场中后，沿abcde轨迹运动．已知粒子在ab段做减速运动．下列判断中正确是（ ）| A． | 粒子在a点的电势能小于在d点的电势能 | |
| B． | 粒子在a点的电势能大于在d点的电势能 | |
| C． | K、L、M三个等势面的电势关系φK＜φL＜φM | |
| D． | K、L、M三个等势面的电势关系φK＞φL＞φM |
8．
如图所示是排球场的场地示意图，设排球场的总长为L，前场区的长度为$\frac{L}{6}$，网高为h，在排球比赛中，对运动员的弹跳水平要求很高．如果运动员的弹跳水平不高，运动员的击球点的高度小于某个临界值H，那么无论水平击球的速度多大，排球不是触网就是越界．设某一次运动员站在前场区和后场区的交界处，正对网前竖直跳起垂直网将排球水平击出，关于该种情况下临界值H的大小，下列关系式正确的是（ ）
如图所示是排球场的场地示意图，设排球场的总长为L，前场区的长度为$\frac{L}{6}$，网高为h，在排球比赛中，对运动员的弹跳水平要求很高．如果运动员的弹跳水平不高，运动员的击球点的高度小于某个临界值H，那么无论水平击球的速度多大，排球不是触网就是越界．设某一次运动员站在前场区和后场区的交界处，正对网前竖直跳起垂直网将排球水平击出，关于该种情况下临界值H的大小，下列关系式正确的是（ ）| A． | H=$\frac{49}{48}$h | B． | H=$\frac{16（L+h）}{15L}$ | C． | H=$\frac{16}{15}$h | D． | H=$\frac{（L+h）}{L}$h |
如图所示，某质量为60kg的武警沿着长12m的竖直绳子进行模拟演习训练．若该武警从绳子顶端由静止开始先以大小为8m/s2的加速度匀加速下滑4m再以大小为4m/s2的加速度匀减速下滑，滑到绳子底端时速度恰好为零，武警可视为质点，则该武警克服摩擦力做了多少功？
5．
导体导电是导体中自由电荷定向移动的结果，这些可以定向移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是电子．现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下，则（ ）
导体导电是导体中自由电荷定向移动的结果，这些可以定向移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是电子．现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下，则（ ）| A． | 如果φ上＞φ下，长方体一定是N型半导体 | |
| B． | 如果φ上＞φ下，长方体一定是P型半导体 | |
| C． | 如果φ上＜φ下，长方体一定是P型半导体 | |
| D． | 如果φ上＞φ下，长方体可能是金属导体 |
12．
如图所示，实线表示在竖直平面内的电场线，电场线与水平方向成α角，水平方向的匀强磁场与电场正交，有一带电液滴沿虚线/斜向上做直线运动，L与水平方向成β角，且α＞β，则下列说法中正确的是（ ）
如图所示，实线表示在竖直平面内的电场线，电场线与水平方向成α角，水平方向的匀强磁场与电场正交，有一带电液滴沿虚线/斜向上做直线运动，L与水平方向成β角，且α＞β，则下列说法中正确的是（ ）| A． | 液滴一定做匀速直线运动 | B． | 液滴一定带负电 | ||
| C． | 电场线方向一定斜向上 | D． | 液滴有可能做匀变速直线运动 |
