(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为
正四面体
正四面体
.在四大晶体类型中,GaN属于
原子
原子
晶体.
(2)铜、铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有
能够接受孤电子对的空轨道
能够接受孤电子对的空轨道
的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

①H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是
O>N>H
O>N>H

②SO2分子的空间构型为
V形
V形
.与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为
SO42-、SiO44-
SO42-、SiO44-

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为
sp3杂化
sp3杂化
.乙二胺和三甲胺[N(CH33]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是
乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键
乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键

④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有
abd
abd

a.配位键     b.极性键     c.离子键    d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为
4
4
 0  18599  18607  18613  18617  18623  18625  18629  18635  18637  18643  18649  18653  18655  18659  18665  18667  18673  18677  18679  18683  18685  18689  18691  18693  18694  18695  18697  18698  18699  18701  18703  18707  18709  18713  18715  18719  18725  18727  18733  18737  18739  18743  18749  18755  18757  18763  18767  18769  18775  18779  18785  18793  203614 

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