题目内容
关于硅及其化合物的叙述中，正确的是（ ）
| A、硅是良好的半导体材料，且是制造光缆的主要材料 | ||||
| B、SiO2不溶于水，也不溶于任何酸 | ||||
C、可以用焦炭还原二氧化硅生产硅：SiO2+C
| ||||
| D、SiO2是酸性氧化物，在一定条件下能和氧化钙反应 |
考点：硅和二氧化硅
专题：碳族元素
分析：A、晶体硅导电性介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体；
B、二氧化硅与氢氟酸反应；
C、生成一氧化碳而不是二氧化碳；
D、SiO2是酸性氧化物，在高温的条件下能和氧化钙反应生成硅酸钙．
B、二氧化硅与氢氟酸反应；
C、生成一氧化碳而不是二氧化碳；
D、SiO2是酸性氧化物，在高温的条件下能和氧化钙反应生成硅酸钙．
解答：
解：A、晶体硅是良好的半导体材料，是信息技术的关键材料，故A正确；
B、二氧化硅与氢氟酸反应，故B错误；
C、生成一氧化碳而不是二氧化碳，所以反应方程式为：SiO2+2C
Si+2CO↑，故C错误；
D、SiO2是酸性氧化物，在高温的条件下能和氧化钙反应生成硅酸钙，故D正确；
故选AD．
B、二氧化硅与氢氟酸反应，故B错误；
C、生成一氧化碳而不是二氧化碳，所以反应方程式为：SiO2+2C
| ||
D、SiO2是酸性氧化物，在高温的条件下能和氧化钙反应生成硅酸钙，故D正确；
故选AD．
点评：本题主要考查物质的性质、组成以及用途，是一道基础知识题目，难度不大，熟悉硅及其化合物的性质和用途是解题关键．
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化合物A（
）可由环戊烷经三步反应合成：
X
Y
，则下列说法错误的是（ ）
）可由环戊烷经三步反应合成：| 反应1 |
| 反应2 |
| 反应3 |
，则下列说法错误的是（ ）| A、反应1可用的试剂是氯气 |
| B、反应1为取代反应，反应2为消去反应 |
| C、反应3可用的试剂是氧气和铜 |
| D、1molA完全燃烧消耗6mol氧气 |
下列比较中，正确的是（ ）
| A、同温度同物质的量浓度时，HF比HCN易电离，则等浓度等体积的NaF溶液比NaCN溶液中阴离子总数少 |
| B、0.2 mol?L-l NH4Cl和 0．l mol?L-l NaOH溶液等体积混合后：c（Cl-）＞c（NH4+）＞c（Na+）＞c（OH-）＞c（H+） |
| C、0.1 mol/L pH为4的NaHB溶液中：c（HB-）＞c（H2B）＞c（B2-） |
| D、相同物质的量浓度的下列溶液中，①NH4Al（SO4）2、②NH4Cl、③CH3COONH4、④NH3?H2O；c（NH4+） 由大到小的顺序是：①＞②＞④＞③ |
配制250mL 0.10mol?L-1的NaOH溶液时，下列操作会使配得的溶液中NaOH物质的量浓度偏大的是（ ）
| A、转移溶液后未洗涤烧杯和玻璃棒就直接定容 |
| B、在容量瓶中定容时仰视刻度线 |
| C、在容量瓶中定容时俯视刻度线 |
| D、定容后把容量瓶倒置摇匀，发现液面低于刻度线，又补足了所缺的水 |
配制一定物质的量浓度的NaOH溶液时，使所配制的溶液浓度偏小的操作是（ ）
①烧杯中NaOH溶液移入容量瓶后，没有洗涤烧杯和转移洗涤液
②实验用的容量瓶洗净后未干燥，里面含有少量水
③定容后摇匀，发现液面低于刻度线，再滴加蒸馏水至刻度线
④定容时俯视
⑤所用NaOH已经潮解
⑥称量时所用砝码生锈．
①烧杯中NaOH溶液移入容量瓶后，没有洗涤烧杯和转移洗涤液
②实验用的容量瓶洗净后未干燥，里面含有少量水
③定容后摇匀，发现液面低于刻度线，再滴加蒸馏水至刻度线
④定容时俯视
⑤所用NaOH已经潮解
⑥称量时所用砝码生锈．
| A、①③⑤ | B、①②③ |
| C、①③④ | D、②④⑥ |
下列物质是手性分子的是（ ）
| A、CHFClBr | B、丙烷 |
| C、乙醇 | D、苯 |
下列反应不能观察到“既有沉淀析出，又有气体产生”现象的是（ ）
| A、金属钠和硫酸铜溶液 |
| B、过氧化钠和氯化镁溶液 |
| C、氧化钠和氯化铵溶液 |
| D、硫酸铵和氢氧化钡溶液混合加热 |