题目内容
【题目】已知下列热化学方程式：Zn(s) +
O2(g) ＝ZnO(s) ΔH1＝－351.1kJ/mol
Hg(l) +O2(g) ＝ HgO(s) ΔH2＝－90.7kJ/mol
由此可知Zn(s) + HgO(s) ＝ ZnO(s) + Hg(l)的ΔH3，其中ΔH3的值是
A.－260.4 kJ/molB.－254.6 kJ/molC.－438.9 kJ/molD.－441.8 kJ/mol
【答案】A
【解析】
①Zn(s)+
O2(g)=ZnO(s) △H1=-351.1 kJ/mol
②Hg(l)+ O2(g)=HgO(s) △H2=-90.7 kJ/mol
根据盖斯定律，①-②得③：Zn(s)+HgO(s)=ZnO(s)+Hg(l)，
则△H3=△H1-△H2=-351.1kJ/mol-（-90.7kJ/mol）=-260.4kJ/mol；A项正确；
故选A。
【题目】GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]____________；下列状态的铝元素中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是______________(填标号)。
A．
B．
C．
D．
(2)8—羟基喹啉合铝（分子式C27H18AlN3O3）用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与
8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为______________； 8—羟基喹啉合铝中所含元素电负性最大的是______________（填元素符号，下同），第一电离能最大的是__________（填元素符号），N原子的杂化方式为_____________。
(3)已知下列化合物的熔点：
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
①表格中卤化物的熔点产生差异的原因是_______________________________________________。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6分子，分子中每个原子最外层均达到8电子，二聚体Al2Cl6的结构式为______________________________；其中Al的配位数为_________。
