题目内容
硅单质及其化合物应用范围很广．请回答下列问题：
制备硅半导体材料必须先得到高纯硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如图所示：
（1）写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式： ．
（2）整个制备过程必须严格控制无水无氧．SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式： ；
H2还原SiHCl3过程中若混入O2，可能引起的后果是 ．
制备硅半导体材料必须先得到高纯硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如图所示：
（1）写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式：
（2）整个制备过程必须严格控制无水无氧．SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式：
H2还原SiHCl3过程中若混入O2，可能引起的后果是
考点：硅和二氧化硅
专题：碳族元素
分析：（1）根据给定的反应物和生成物写出化学方程式，注意反应条件和配平；
（2）写出反应物和给出的生成物H2SiO3和HCl，用原子守恒法找出另一种生成物为H2，并配平．
（2）写出反应物和给出的生成物H2SiO3和HCl，用原子守恒法找出另一种生成物为H2，并配平．
解答：
解：（1）氢气和纯SiHCl3反应生成高纯硅和氯化氢：SiHCl3+H2
Si+3HCl，故答案为：SiHCl3+H2
Si+3HCl；
（2）SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和氢气：3SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑，氢气遇氧气易爆炸，故答案为：SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+3HCl↑+H2↑；氧气与氢气混合，可能引起爆炸．
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（2）SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和氢气：3SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑，氢气遇氧气易爆炸，故答案为：SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+3HCl↑+H2↑；氧气与氢气混合，可能引起爆炸．
点评：本题考查硅和二氧化硅的性质，题目难度中等，注意双水解时，可生成沉淀和气体．
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