题目内容
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A、B、C是短周期非金属元素，核电荷数依次增大．A元素原子核外有三种不同的能级且各个能级所填充的电子数相同，C是地壳中含量最多的元素．D、E是第四周期元素，其中E元素的核电荷数为29．D原子核外未成对电子数在同周期中最多．请用对应的元素符号或化学式填空：（1）A、B、C的第一电离能由小到大的顺序为C＜O＜N．
（ 2 ）B的氢化物易液化的原因是NH3分子间易形成氢键，沸点高；
（ 3 ）已知A、C形成的化合物分子甲会造成温室效应，l mol甲中含有π键的数目为1.204×1024或者2NA；
（4）基态D原子的外围电子排布式为3d54s1．DO2Cl2熔点：-96.5℃，沸点：117℃，则固态DO2Cl2属于分子晶体．
（5）E的氢化物的晶胞结构如图所示，其化学式是CuH．
分析 A、B、C是短周期非金属元素，核电荷数依次增大，A元素原子核外有三种不同的能级且各个能级所填充的电子数相同，则A是C元素；C是地壳中含量最多的元素，则C是O元素，B原子序数大于A而小于C，所以B是N元素；
D、E是第四周期元素，其中E元素的核电荷数为29，则E是Cu，D原子核外未成对电子数在同周期中最多，则D是Cr元素；
（1）同一周期元素，元素第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势，但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素；
（2）含有氢键的氢化物熔沸点较高；
（3）A、C形成的化合物分子甲会造成温室效应，甲为二氧化碳，每个O=C=O分子中含有2个π键；
（4）D是Cr元素，其3d、4s能级电子为其外围电子，根据构造原理书写其外围电子排布式；
分子晶体熔沸点较低；
（5）利用均摊法确定该晶胞化学式．
解答 解：A、B、C是短周期非金属元素，核电荷数依次增大，A元素原子核外有三种不同的能级且各个能级所填充的电子数相同，则A是C元素；C是地壳中含量最多的元素，则C是O元素，B原子序数大于A而小于C，所以B是N元素；
D、E是第四周期元素，其中E元素的核电荷数为29，则E是Cu，D原子核外未成对电子数在同周期中最多，则D是Cr元素；
（1）同一周期元素，元素第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势，但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素，所以第一电离能C＜O＜N，故答案为：C＜O＜N；
（2）B的氢化物是氨气，含有氢键的氢化物熔沸点较高，氨气中含有氢键导致其熔沸点较高，所以易液化，故答案为：NH3分子间易形成氢键，沸点高；
（3）A、C形成的化合物分子甲会造成温室效应，甲为二氧化碳，每个O=C=O分子中含有2个π键，则1mol二氧化碳分子中π键个数为1.204×1024或者2NA，故答案为：1.204×1024或者2NA；
（4）D是Cr元素，其3d、4s能级电子为其外围电子，根据构造原理书写其外围电子排布式为3d54s1；
分子晶体熔沸点较低，该物质熔沸点较低，所以为分子晶体，
故答案为：3d54s1；分子；
（5）根据原子半径大小知，小球表示H原子、大球表示Cu原子，H原子个数=4，Cu原子个数=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4，所以H、Cu原子个数=4：4=1：1，所以其化学式为CuH，
故答案为：CuH．
点评 本题考查物质结构和性质，为高频考点，涉及晶胞计算、原子核外电子排布、元素周期律、氢键等知识点，明确基本原理、基本原子结构、元素周期律是解本题关键，侧重考查学生分析计算及空间想象能力，题目难度不大．
①某烷烃分子式为C6H14，若该烷烃可由两种炔烃与氢气加成得到，则该烷烃的结构简式为（CH3）2CHCH2CH2CH3．
| A． | 分子式为C16H16O9 | |
| B． | 能与碳酸钠溶液反应，但不产生二氧化碳 | |
| C． | 能发生催化氧化反应并生成能发生银镜反应的产物 | |
| D． | NaOH、H2、溴水分别与1mol绿原酸反应时，消耗反应物的最大物质的量都为4mol |
| A． | 60 g SiO2晶体中含有2×6.02×1023个Si-O键 | |
| B． | 石墨烯是由碳原子构成的单层片状结构的新材料（结构示意图如图甲），则0.12 g石墨烯中含有6.02×1022个碳原子 | |
| C． | 720 g C60晶体（如图乙）中含有6.02×1023个晶胞结构单元 | |
| D． | 14 g两种烯烃CnH2n和CmH2m混合物，含有共用电子对数目为3×6.02×1023 |
有如下性质：
．
如图是实验室制取某些气体的装置．
CH3+；
CH3-．
CO+3H2．