题目内容
2004年9月3日英国《自然》杂志报道，碳化硅是已知最硬的物质之一，其单晶体可制作半导体材料．但正是由于它硬度高，熔化及锻制的过程相当费劲，而且制成的晶片容易产生瑕疵，如杂质、气泡等，这些物质会严重影响或削弱电流．因此，碳化硅一直无法被用来制造芯片．日本研究人员称，他们找到了锻制碳化硅晶体的新方法，使碳化硅晶片成本低、用途广、性能更可靠．下列有关碳化硅（SiC）的有关说法错误的是（ ）
| A、晶体硅和晶体碳化硅都是原子晶体 | ||||
| B、碳化硅是一种新型的无机非金属材料 | ||||
| C、碳化硅的熔点比晶体硅高 | ||||
D、制取碳化硅的反应：SiO2+3C
|
考点：硅和二氧化硅
专题：碳族元素
分析：A．相邻原子之间通过强烈的共价键结合而成的空间网状结构的晶体叫做原子晶体；
B．新型无机非金属材料主要有先进陶瓷、非晶体材料、人工晶体、无机涂层、无机纤维等；
C．键长越短，键能越大；
D．硅的化合价没有改变．
B．新型无机非金属材料主要有先进陶瓷、非晶体材料、人工晶体、无机涂层、无机纤维等；
C．键长越短，键能越大；
D．硅的化合价没有改变．
解答：
解：A．晶体硅和晶体碳化硅原子之间通过强烈的共价键结合而成的空间网状结构，都是原子晶体，故A正确；
B．碳化硅是新型的无机非金属材料，故B正确；
C．由于共价键C-C比Si-C键长更短，键能更大，所以碳化硅熔点应比晶体硅高，故C正确；
D．在反应中，硅的化合价没有改变，所以碳既是氧化剂也是还原剂，故D错误．
故选D．
B．碳化硅是新型的无机非金属材料，故B正确；
C．由于共价键C-C比Si-C键长更短，键能更大，所以碳化硅熔点应比晶体硅高，故C正确；
D．在反应中，硅的化合价没有改变，所以碳既是氧化剂也是还原剂，故D错误．
故选D．
点评：本题考查硅和二氧化硅的性质和用途，题目难度不大，注意化合价降低的是氧化剂，含元素化合价升高的是还原剂．
练习册系列答案
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25°C时，某溶液中由水电离出的c（OH-）=1×10-13mol/L，该溶液中一定不能大量共存的离子组是（ ）
| A、NH4+、Fe3+、SO42-、Cl- |
| B、CO32-、PO43-、K+、Na+ |
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②加入适量Na2SO3稀溶液；
③分离出下层液体．
④将分液漏斗充分振荡后静置．
①将碘的四氯化碳溶液置于分液漏斗中；
②加入适量Na2SO3稀溶液；
③分离出下层液体．
④将分液漏斗充分振荡后静置．
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下列反应的离子方程式正确的是（ ）
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| B、过氧化钠投入水中2O22-+2H2O=4OH-+O2↑ |
| C、碳酸钙溶于盐酸CO32-+2H+=H2O+CO2↑ |
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