Question

【题目】用SiHCl3在加热条件下与过量H2反应制备纯硅的装置如图（热源及夹持装置略去）：

已知：SiHCl3沸点为33℃，能与和H2O强烈反应，在空气中易自燃；

请问答：

（1）依次连接的合理顺序为__。

（2）操作时应先打开装置__（选填“C”或“D”）中分液漏斗的旋塞，理由是__。

Answer 1

【答案】DBCAE或DBCABE D SiHCl3在空气中易自燃，实验时先通一段时间氢气排除装置内空气

【解析】

A装置主要是SiHCl3与过量H2在加热条件下反应制备纯硅，B主要是干燥气体，C主要是将SiHCl3转变为气体在A中反应，D是氢气发生装置，E尾气处理装置。

⑴先是氢气发生装置，再是干燥装置，再是将汽化装置，再是反应装置，再是尾气处理装置，也可以先干燥后再处理尾气，因此依次连接的合理顺序为DBCAE或DBCABE；故答案为：DBCAE或DBCABE。

⑵由于SiHCl3沸点为33℃，能与和H2O强烈反应，在空气中易自燃，整个装置需要先排除装置内空气，因此操作时应先打开装置D中分液漏斗的旋塞，理由是SiHCl3在空气中易自燃，实验时先通一段时间氢气排除装置内空气；故答案为：D；SiHCl3在空气中易自燃，实验时先通一段时间氢气排除装置内空气。