题目内容
【题目】欲除去氢氧化铁胶体中混有的K＋和Cl－，可选用的方法是( )
A.过滤B.蒸馏C.电泳D.渗析
【答案】D
【解析】
胶体分散质微粒直径为1nm～100nm，溶液中的微粒小于半透膜的孔隙能通过半透膜，而胶体不能通过，除去氢氧化铁胶体中混有的Na+和Cl-，可选用渗析方法，故选D。
【题目】硫代硫酸钠晶体（Na2S2O3·5H2O，M=248 g·mol1）可用作定影剂、还原剂。回答下列问题：
（1）已知：Ksp(BaSO4)=1.1×1010，Ksp(BaS2O3)=4.1×105。市售硫代硫酸钠中常含有硫酸根杂质，选用下列试剂设计实验方案进行检验：
试剂：稀盐酸、稀H2SO4、BaCl2溶液、Na2CO3溶液、H2O2溶液
实验步骤 | 现象 |
①取少量样品，加入除氧蒸馏水 | ②固体完全溶解得无色澄清溶液 |
③___________ | ④___________，有刺激性气体产生 |
⑤静置，___________ | ⑥___________ |
（2）利用K2Cr2O7标准溶液定量测定硫代硫酸钠的纯度。测定步骤如下：
①溶液配制：称取1.2000 g某硫代硫酸钠晶体样品，用新煮沸并冷却的蒸馏水在__________中溶解，完全溶解后，全部转移至100 mL的_________中，加蒸馏水至____________。
②滴定：取0.00950 mol·L1的K2Cr2O7标准溶液20.00 mL，硫酸酸化后加入过量KI，发生反应： Cr2O72+6I+14H+
3I2+2Cr3++7H2O。然后用硫代硫酸钠样品溶液滴定至淡黄绿色，发生反应：I2+2S2O32S4O62+2I。加入淀粉溶液作为指示剂，继续滴定，当溶液__________，即为终点。平行滴定3次，样品溶液的平均用量为24.80 mL，则样品纯度为_________%（保留1位小数）。
【题目】半导体工业需要高纯硅，粗硅中含有SiO2、Fe2O3、CuO、C等杂质，提纯硅的方法比较多，其中三氯氢硅(有一定毒性)氢还原法和四氯化硅氢还原法应用较为广泛，下面是实验室模拟工业上三氯氢硅氢还原法的基本原理：
已知：①Si+3HCl 
SiHCl3+H2(主要反应)
Si+4HClSiCl4+2H2(次要反应)
2NaCl+H2SO4(浓)
Na2SO4+2HCl↑
②典型硅的重要化合物的部分性质如下表：
熔点(℃) | 沸点(℃) | 溶解性 | |
SiHCl3 | -127 | 33 | 易溶于多数有机溶剂 |
SiCl4 | -23 | 77 | 易溶于多数有机溶剂 |
(1)粗硅在提纯前，需要进行酸、碱预处理，其目的是___________________________________。
(2)下列装置在实验室可用于制备HCl气体的是_____(填字母代号)。
(3)在1100～1200℃条件下，利用图B在石英管中可以获得硅，写出该反应的方程式_______；其烧杯中水的作用是__________________________；该装置使用石英管而不是普通玻璃管的原因是_________。
(4)三氯氢硅氢还原法用 SiHCl3在图B中制硅，不足之处有_______________(任意回答一点即可)。
(5)SiCl4与氢气反应也能得到硅，但反应所需温度不同，在工业上往往将三氯氢硅中混入的SiCl4分离后再与氢气反应，你认为最好的分离方法是______________。
(6)工业上如果用四氯化硅氢还原法制硅，其原理如下：
该方法与用三氯氢硅氢还原法比较，其缺点至少有两处，分别是_________________。
【题目】反应X(g)
4Y(g)+Z(g)，在200℃和T℃时，X 的物质的量浓度(单位：mol·L-1)随时间变 化的有关实验数据见下表：
时间/min | 0 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 |
200/℃ | 0.80 | 0.55 | 0.35 | 0.20 | 0.15 | 0.15 |
T/℃ | 1.00 | 0.65 | 0.35 | 0.18 | 0.18 | 0.18 |
下列有关该反应的描述正确的是
A. 在200℃时，4min内用Y表示的化学反应速率为0.1125mol·L-1·min-1
B. T℃下，6min时反应刚好达到平衡状态
C. 根据上表内 X 的浓度变化，可知浓度越大，反应速率越大
D. 从表中可以看出T <200