题目内容
【题目】下列微粒中，最外层未成对电子数最多的是( )
A. SB. AsC. MnD. Fe3+
【答案】D
【解析】
根据能量最低原理书写各元素的电子排布式，根据电子排布式判断未成对电子数，据此进行解答。
A.S的最外层电子排布式为3s23p4，3p能级上有2个未成对电子；
B. As的最外层电子排布式为4s24p3，4p能级上有3个未成对电子；
C. Mn的最外层核外电子排布式为4s2，最外层未成对电子数为0；
D. Fe3+的最外层电子排布式为3s23p63d5，3d能级上有5个未成对电子；
根据分析可以知道最外层未成对电子数最多的是Fe3+，
所以D选项是正确的。
【题目】现有部分元素的原子结构特点如表：
X | L层电子数是K层电子数的3倍 |
Y | 核外电子层数等于原子序数 |
Z | L层电子数是K层和M层电子数之和 |
W | 最外层电子数是次外层电子数的2.5倍 |
（1）画出W原子结构示意图________________________。
（2）元素X与元素Z相比，非金属性较强的是________(填元素名称)，写出一个能表示X、Z非金属性强弱关系的化学反应方程式：________________________________________。
（3）X、Y、Z、W四种元素形成的一种离子化合物，其水溶液显强酸性，该化合物的化学式为____________________。
（4）元素X和元素Y以原子个数比1∶1化合形成的化合物Q，写出Q的电子式________。元素W和元素Y化合形成的化合物M，Q和M的电子总数相等。以M为燃料，Q为氧化剂，可作火箭推进剂，最终生成无毒的、且在自然界中稳定存在的物质，写出该反应的化学方程式：____________________________________。
【题目】单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁、铝、硼、磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450-500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。
相关信息如下：
a.四氯化硅接触水会发生化学反应；
b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；
c.有关物质的物理常数见下表：
物质 | SiCl4 | BC13 | A1C13 | FeCl3 | PCl5 |
沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | － | 315 | － |
熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | － | － | － |
升华温度/℃ | － | － | 180 | 300 | 162 |
请回答下列问题：
（1）写出装置A中发生反应的离子方程式：___________，D中发生反应的化学方程式___________。
（2）A中g管的作用是__________________，装置C中的试剂是___________，作用是___________。
（3）装置E中的h瓶需要冷却的理由是______________________。
（4）装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是___________（填写元素符号）。
（5）过量的氯气可以用石灰乳来处理，请写出该反应的化学方程式_____________________。
