题目内容

8.下列电离方程式,书写正确的是(  )
A.Al2(SO43═3Al3++2SO42-B.AlCl3═Al3++Cl3-
C.Mg(NO32═Mg2++2NO3-D.KMnO4═K++Mn2++4O2-

分析 A.原子个数不守恒;
B.氯离子书写错误;
C.硝酸镁为强电解质,完全电离;
D.高锰酸钾为强电解质,完全电离生成钾离子与高锰酸根离子.

解答 解:A.硫酸铝为强电解质,电离方程式:Al2(SO43═2Al3++3SO42-,故A错误;
B.氯化铝为强电解质,完全电离,电离方程式:AlCl3═Al3++3Cl-,故B错误;
C.硝酸镁为强电解质,完全电离,电离方程式:Mg(NO32═Mg2++2NO3-,故C正确;
D.高锰酸钾为强电解质,完全电离生成钾离子与高锰酸根离子,电离方程式:KMnO4═K++MnO4-,故D错误;
故选:C.

点评 本题考查了电解质电离方程式的书写,明确电解质强弱、电离方程式书写方法是解题关键,注意电离方程式遵循原子个数守恒、电荷数守恒规律,题目难度不大.

练习册系列答案
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18.某研究性学习小组为测定某铝镁合金(不含其他元素)中镁的质量分数,设计了下列两种不同实验方案进行探究,请根据他们的设计回答有关问题.
[探究一]实验方案:称量x g铝镁合金粉末,放在如图1所示装置的惰性电热板上,通电使其充分灼烧.(密封装置中氧气足量)
问题讨论:
(1)欲计算Mg的质量分数,该实验中还需测定的数据是铝镁合金充分灼烧后的固体质量.
(2)假设实验中测出该数据为y g,则原铝镁合金粉末中镁的质量分数为$\frac{17x-9y}{2x}$×100%(用含x、y的代数式表示).
[探究二]实验方案:称量x g铝镁合金粉末溶于稀硫酸,常温下测定生成气体的体积.
问题讨论:
(3)同学们拟选用如图2的实验装置完成实验,你认为最简易的装置的连接顺序是a接e,,d接g,.接..(填接口字母,空格不一定填完,不够可加).
(4)同学们仔细分析(3)题中连接的实验装置后,又设计了如图3所示的实验装置.
①装置中导管a的作用是便于分液漏斗中稀硫酸顺利流出(或平衡分液漏斗与锥形瓶中气压)
②反应结束后发现量气管的液面高于干燥管的液面,此时应如何操作?(待产生H2恢复至室温时,)仅将量气管慢慢下移至液面与干燥管中液面相平
③与图3装置相比,用图2连接的装置进行实验时,若不考虑导管中液体体积的影响,测定铝镁合金中镁的质量分数将偏小(填“偏大”、“偏小”或“无影响”).
19.氢气是一种清洁能源,氢气的制取是氢能源利用领域的研究热点.
(1)纳米级的Cu2O可作为太阳光分解水的催化剂.一定温度下,在2L密闭容器中加入纳米级Cu2O并通入0.10mol水蒸气发生反应:2H2O(g)$?_{Cu_{2}O}^{光照}$2H2(g)+O2(g)△H=+484kJ•mol-1,不同时段产生O2的量见下表:
时间/min20406080
n(O2)/mol0.00100.00160.00200.0020
上述反应过程中能量转化形式为光能转化为化学能,达平衡过程中至少需要吸收光能为0.968kJ.
(2)现有反应:CO(g)+H2O(g)?CO2(g)+H2(g)△H<0,在相同温度和相同体积下进行甲、乙、丙、丁四组实验,实验起始时放入容器内各组分的物质的量见下表:
物质的量COH2 OCO2H2
a mola mol0mol0mol
0mol0mol2a mola mol
0mol0mola mola mol
a mola mola mola mol
上述四种情况达到平衡后,甲、乙、丙、丁容器中n(CO)的大小顺序为丁>乙>甲=丙.
(3)金属钨用途广泛,主要用于制造硬质或耐高温的合金,以及灯泡的灯丝.高温下,在密闭容器中用H2还原WO3得金属钨,总反应为WO3 (s)+3H2 (g)$\stackrel{高温}{?}$W (s)+3H2O (g).请回答下列问题:
①某温度下反应达平衡时,H2与水蒸气的体积比为2:3,则H2的平衡转化率为60%.
②上述总反应过程大致分为三个阶段,各阶段主要成分与温度的关系如下表所示:
温度25℃~550℃~600℃~700℃
主要成份WO3     W2O5      WO2        W
假设WO3完全转化为W,则三个阶段消耗H2物质的量之比为1:1:4.
③钨丝灯管中的W在使用过程中缓慢挥发,使灯丝变细,加入I2可延长灯管的使用寿命,其工作原理为:W(s)+2I2 (g)$?_{3000℃}^{1400℃}$ WI4 (g).下列说法正确的有AB(填字母).
A.灯管内的I2可循环使用
B.WI4在灯丝上分解,产生的W又沉积在灯丝上
C.WI4在灯管壁上分解,使灯管的寿命延长
D.温度升高时,WI4的分解速率加快,W和I2的化合速率减慢.
9.氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点,故氮化硅膜可用于半导体工业.为生成氮化硅膜,可以用NH3和SiH4(硅烷)在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化硅膜:
3SiH4$\frac{\underline{\;一定条件\;}}{\;}$Si3N4+12H2
(1)以硅化镁为原料制备硅烷的反应和工业流程如图1:
反应原理:4NH4Cl+Mg2Si$\frac{\underline{\;常温\;}}{\;}$4NH3↑+SiH4↑+2MgCl2(△H<0)

①NH4Cl的化学键类型有极性键(或共价键)、离子键,SiH4电子式为
②上述生产硅烷的过程中液氨的作用是吸收热量,保证反应在常温下进行(答“制冷”或“降温”均可).
③氨气也是重要的工业原料,写出氨气发生催化氧化反应生成NO的化学方程式4NH3+5O2$\frac{\underline{催化剂}}{△}$4NO+6H2O,实验室可利用如图2所示装置完成该反应.  在实验过程中,除观察到锥形瓶中产生红棕色气体外,还可观察到有白烟生成,白烟的主要成分是NH4NO3(或硝酸铵).
(2)三硅酸镁(Mg2Si3O8?nH2O)难溶于水,在医药上可做抗酸剂.它除了可以中和胃液中多余酸之外,生成的H2SiO3还可覆盖在有溃疡的胃表面,保护其不再受刺激.三硅酸镁与盐酸反应的化学方程式为Mg2Si3O8?nH2O+4HCl═2MgCl2+3H2SiO3+(n-1)H2O.
将0.184g三硅酸镁加到50mL 0.1mol/L盐酸中,充分反应后,滤去沉淀,以甲基橙为指示剂,用0.1mol/L NaOH溶液滴定剩余的盐酸,消耗NaOH溶液30mL,则Mg2Si3O8?nH2O的n值为6.(注:Mg2Si3O8的摩尔质量为260g/mol)

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