如图.为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示怠图．在xOy平面的第一象限.存在以x轴y轴及双曲线y=L24x的一段 o≤x≤L.0≤y≤L为边界的勻强电场区域I,在第二象限存在以x=-L.x=-2——青夏教育精英家教网——

题目内容

如图，为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示怠图．在xOy平面的第一象限，存在以x轴y轴及双曲线y=

L2

4x

的一段_o≤x≤L，0≤y≤L为边界的勻强电场区域I；在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0，y=L为边界的匀强电场区域II （即正方形MNPQ区域\两个电场大小均为E，电子的电荷量为e，不计电子重力的影响，则从电场I区域的AB曲线边界由静止释放的各个电子（　　）

A．从PN间不同位置处离开区域II

B．从PQ间不同位置处离开区域II

C．在电场区域II中运动时间相同

D．离开MNPQ的最小动能为eEL

魔方格

试题答案

D

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如图，为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示怠图．在xOy平面的第一象限，存在以x轴y轴及双曲线

的一段_o≤x≤L，0≤y≤L为边界的勻强电场区域I；在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0，y=L为边界的匀强电场区域II （即正方形MNPQ区域\两个电场大小均为E，电子的电荷量为e，不计电子重力的影响，则从电场I区域的AB曲线边界由静止释放的各个电子（）

A．从PN间不同位置处离开区域II
B．从PQ间不同位置处离开区域II
C．在电场区域II中运动时间相同
D．离开MNPQ的最小动能为eEL
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研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型如图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形，方向如图所示（不计电子所受重力）。
【小题1】在AB边的中点处由静止释放的电子，求电子从CD边射出时出射点的纵坐标y。
【小题2】在电场I区域内适当位置由静止释放电子，若电子恰能从II区域左下角D处离开，
求所有释放点的位置。

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研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型如图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形，方向如图所示（不计电子所受重力）。

1.在AB边的中点处由静止释放的电子，求电子从CD边射出时出射点的纵坐标y。

2.在电场I区域内适当位置由静止释放电子，若电子恰能从II区域左下角D处离开，

求所有释放点的位置。

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研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型如图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形，方向如图所示（不计电子所受重力）。

1.在AB边的中点处由静止释放的电子，求电子从CD边射出时出射点的纵坐标y。

2.在电场I区域内适当位置由静止释放电子，若电子恰能从II区域左下角D处离开，

求所有释放点的位置。

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研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型如图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形，方向如图所示(不计电子所受重力)．

(1)在AB边的中点处由静止释放的电子，求电子从CD边射出时出射点的纵坐标y．

(2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子，若电子恰能从Ⅱ区域左下角D处离开，求所有释放点的位置．

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研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型如图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界均是边长为L的正方形，方向如图所示(不计电子所受重力)．

(1)在AB边的中点处由静止释放的电子，求电子从CD边射出时出射点的纵坐标y．

(2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子，若电子恰能从Ⅱ区域左下角D处离开，求所有释放点的位置．

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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的第一象限，存在以x轴y轴及双曲线y=

的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）为边界的匀强电场I；在第二象限存在以x=-L； x=-2L；y=0；y=L的匀强电场II．两个电场大小均为E，不计电子所受重力．求
（1）从电场I的边界B点处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的位置；
（2）由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能；
（3）若将左侧电场II整体水平向左移动

（n≥1），要使电子从x=-2L，y=0处离开电场区域II，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置．

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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界均是边长为L的正方形(不计粒子所受重力，已知电子的质量为m，电量为e)．

(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子，电子离开匀强电场Ⅰ的时间t和速率v₀．

(2)在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置坐标；

(3)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置坐标．

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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界是边长为L的正方形(不计电子所受重力)

(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置；

(2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置；

(3)若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动L/n(n≥1)，仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动)，求在电场Ⅰ区域内由静止释放电子的所有位置．

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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界均是边长为L的正方形(不计粒子所受重力)．

(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置；

(2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置；

(3)若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动(n≥1)，仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动)，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置．

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