题目内容
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl4+2H2
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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：
SiCl4＋2H2
4HCl＋Si
下列说法不合理的是
| A．反应制得的硅可用于制造半导体材料 |
| B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 |
| C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 |
| D．混入少量空气对上述反应无影响 |
试题答案
D
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| A、光导纤维的主要成分是硅单质 |
| B、减小压强有利于加快化学反应速率 |
| C、高温下，氢气的还原性强于硅 |
| D、混入少量空气对上述反应无影响 |
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：
SiCl4＋2H24HCl＋Si
下列说法不合理的是
| A．反应制得的硅可用于制造半导体材料 |
| B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 |
| C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 |
| D．混入少量空气对上述反应无影响 |
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：
SiCl4＋2H2
4HCl＋Si
下列说法不合理的是
A．反应制得的硅可用于制造半导体材料
B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D．混入少量空气对上述反应无影响
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| A．反应制得的硅可用于制造半导体材料 |
| B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 |
| C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 |
| D．混入少量空气对上述反应无影响 |
4HCl+Si下列说法不合理的是（ ）
4HCl＋Si| A．反应制得的硅可用于制造半导体材料 |
| B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 |
| C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 |
| D．混入少量空气对上述反应无影响 |
4HCl+Si下列说法不合理的是
4HCl + Si, 下列说法不合理的是