题目内容
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:
SiCl4 + 2H2
4HCl + Si, 下列说法不合理的是
SiCl4 + 2H2
[ ]
A.反应制得的硅可用于制造半导体材料
B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D.混入少量空气对上述反应无影响
B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D.混入少量空气对上述反应无影响
D
练习册系列答案
相关题目
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4(g)+2H2(g)
Si(s)+4HCl(g).下列说法合理的是( )
| ||
| A、光导纤维的主要成分是硅单质 |
| B、减小压强有利于加快化学反应速率 |
| C、高温下,氢气的还原性强于硅 |
| D、混入少量空气对上述反应无影响 |
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:
SiCl4+2H2
4HCl+Si
下列说法不合理的是
| A.反应制得的硅可用于制造半导体材料 |
| B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 |
| C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 |
| D.混入少量空气对上述反应无影响 |