图a为测量分子速率分布的装置示意图．圆筒绕其中心匀速转动.侧面开有狭缝N.内侧贴有记录薄膜.M为正对狭缝的位置．从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上的S缝后进入狭缝N.在圆筒转动半个周期的时间内相继到——青夏教育精英家教网——

图a为测量分子速率分布的装置示意图．圆筒绕其中心匀速转动，侧面开有狭缝N，内侧贴有记录薄膜，M为正对狭缝的位置．从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上的S缝后进入狭缝N，在圆筒转动半个周期的时间内相继到达并沉积在薄膜上．展开的薄膜如图b所示，NP，PQ间距相等．则（）

A．到达M附近的银原子速率较大
B．到达Q附近的银原子速率较大
C．位于PQ区间的分子百分率大于位于NP区间的分子百分率
D．位于PQ区间的分子百分率小于位于NP区间的分子百分率

如图，质量分别为m_A和m_B的两小球带有同种电荷，电荷量分别为q_A和q_B，用绝缘细线悬挂在天花板上．平衡时，两小球恰处于同一水平位置，细线与竖直方向间夹角分别为θ₁与θ₂（θ₁＞θ₂）．两小球突然失去各自所带电荷后开始摆动，最大速度分别为v_A和v_B，最大动能分别为E_kA和E_kB．则（）

A．m_A一定小于m_B
B．q_A一定大于q_B
C．v_A一定大于v_B
D．E_kA一定大于E_kB

Co发生一次β衰变后变为Ni，其衰变方程为在该衰变过程中还发妯频率为ν₁、ν₂的两个光子，其总能量为．

A、B两物体在光滑水平地面上沿一直线相向而行，A质量为5kg，速度大小为10m/s，B质量为2kg，速度大小为5m/s，它们的总动量大小为 kgm/s；两者相碰后，A沿原方向运动，速度大小为4m/s，则B的速度大小为 m/s．

人造地球卫星做半径为r，线速度大小为v的匀速圆周运动．当其角速度变为原来的

倍后，运动半径变为，线速度大小变为．

质点做直线运动，其s-t关系如图所示，质点在0-20s内的平均速度大小为 m/s质点在时的瞬时速度等于它在6-20s内的平均速度．

如图，简单谐横波在t时刻的波形如实线所示，经过△t=3s，其波形如虚线所示．已知图中x₁与x₂相距1m，波的周期为T，且2T＜△t＜4T．则可能的最小波速为 m/s，最小周期为 s．

正方形导线框处于匀强磁场中，磁场方向垂直框平面，磁感应强度随时间均匀增加，变化率为k．导体框质量为m、边长为L，总电阻为R，在恒定外力F作用下由静止开始运动．导体框在磁场中的加速度大小为，导体框中感应电流做功的功率为．

为判断线圈绕向，可将灵敏电流计G与线圈L连接，如图所示．已知线圈由a端开始绕至b端；当电流从电流计G左端流入时，指针向左偏转．
（1）将磁铁N极向下从线圈上方竖直插入L时，发现指针向左偏转．俯视线圈，其绕向为（填“顺时针”或“逆时针”）．
（2）当条形磁铁从图中虚线位置向右远离L时，指针向右偏转．俯视线圈，其绕向为（填“顺时针”或“逆时针”）．

在练习使用多用表的实验中
（1）某同学连接的电路如图所示
①若旋转选择开关，使尖端对准直流电流挡，此时测得的是通过    的电流；
②若断开电路中的电键，旋转选择开关使其尖端对准欧姆挡，此时测得的是    的电阻；
③若旋转选择开关，使尖端对准直流电压挡，闭合电键，并将滑动变阻器的滑片移至最左端，此时测得的是    两端的电压．
（2）（单选）在使用多用表的欧姆挡测量电阻时，若
（A）双手捏住两表笔金属杆，测量值将偏大
（B）测量时发现指针偏离中央刻度过大，则必需减小倍率，重新调零后再进行测量
（C）选择“×10”倍率测量时发现指针位于20与30正中间，则测量值小于250Ω
（D）欧姆表内的电池使用时间太长，虽然完成调零，但测量值将略偏大．

0 69759 69767 69773 69777 69783 69785 69789 69795 69797 69803 69809 69813 69815 69819 69825 69827 69833 69837 69839 69843 69845 69849 69851 69853 69854 69855 69857 69858 69859 69861 69863 69867 69869 69873 69875 69879 69885 69887 69893 69897 69899 69903 69909 69915 69917 69923 69927 69929 69935 69939 69945 69953 176998