题目内容
2.下列说法中正确的是( )| A. | 根据定义,磁场中某点的磁感应强度的方向与通电导线放置的方向有关 | |
| B. | 磁感应强度是矢量,方向与通电导线在磁场中受到的安培力的方向一致 | |
| C. | 磁感应强度是矢量,方向与自由小磁针在该点静止时N极所指的方向相反 | |
| D. | 在确定的磁场中,某点的磁感应强度方向与该点是否放置小磁针无关 |
分析 解决本题需知道磁感应强度定义及其物理意义.安培力方向判断即可解答该题
解答 解:A、根据定义,磁场中某点的磁感应强度的方向与通电导线放置的方向无关,有本身性质决定,故A错误
B、磁感应强度是矢量,方向与通电导线在磁场中受到的安培力的方向垂直,满足左手定则,故B错误
C、磁感应强度是矢量,方向与自由小磁针在该点静止时N极所指的方向相同,故C错误
D、在确定的磁场中,有本身性质决定,某点的磁感应强度方向与该点是否放置小磁针无关,故D正确
故选:D
点评 本题考查物理量的物理意义,属于基础题,关键要同学们多看书,熟悉各个物理量的单位,还要搞清哪些是国际制单位,注意定义式与决定式的区别.
练习册系列答案
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10.
温度能明显影响金属导体和半导体材料的导电性能,如图所示的图象中分别为某金属导体和某半导体的电阻随温度变化的关系曲线,则下列说法中正确的是( )
| A. | 图线1反映半导体材料的电阻随温度的变化 | |
| B. | 图线1反映金属导体的电阻随温度的变化 | |
| C. | 图线2反映金属导体的电阻随温度的变化 | |
| D. | 图线2反映半导体材料的电阻随温度的变化 |
7.一个物体从静止开始做匀加速直线运动,它在第1s内与第2s内的位移之比为x1:x2,在走完第1m时与走完第2m时的速度之比为v1:v2.下列说法正确的是( )
| A. | x1:x2=1:3,v1:v2=1:2 | B. | x1:x2=1:4,v1:v2=1:$\sqrt{2}$ | ||
| C. | x1:x2=1:4,v1:v2=1:2 | D. | x1:x2=1:3,v1:v2=1:$\sqrt{2}$ |
14.发光二极管在生产和生活中得到了广泛应用.图甲是一种发光二极管的实物图,正常使用时,带“+”号的一端接高电势,带“-”号的一端接低电势.某同学想描绘它的伏安特性曲线,实验测得它两端电压U和通过它电流I的数据如表所示:
①实验室提供的器材如下:
A.电压表(量程0-3V,内阻约10kΩ) B.电压表(量程0-15V,内阻约25kΩ)
C.电流表(量程0-50mA,内阻约50Ω) D.电流表(量程0-0.6A,内阻约1Ω)
E.滑动变阻器(阻值范围0-10Ω,允许最大电流3A)
F.电源(电动势4V,内阻不计) G.开关,导线
该同学做实验时,电压表选用的是A,电流表选用的是C(填选项字母)

②请在图乙中以笔划线代替导线,按实验要求将实物图中的连线补充完整.
③根据表中数据,在图丙所示的坐标纸中画出该发光二极管的I-U图线.
由图线得出二极管的阻值随电压的增大而减少(填“不变”、“增大”或“减小”)
④若此发光二极管的最佳工作电流为10mA,现将此发光二极管与电动势为3V、内阻不计的电池组相连,还需串联一个阻值R=110Ω的电阻,才能使它工作在最佳状态 (结果保留三位有效数字).
| U/V | 0 | 0.40 | 0.80 | 1.20 | 1.60 | 2.00 | 2.40 | 2.80 |
| I/mA | 0 | 0.9 | 2.3 | 4.3 | 6.8 | 12.0 | 19.0 | 30.0 |
A.电压表(量程0-3V,内阻约10kΩ) B.电压表(量程0-15V,内阻约25kΩ)
C.电流表(量程0-50mA,内阻约50Ω) D.电流表(量程0-0.6A,内阻约1Ω)
E.滑动变阻器(阻值范围0-10Ω,允许最大电流3A)
F.电源(电动势4V,内阻不计) G.开关,导线
该同学做实验时,电压表选用的是A,电流表选用的是C(填选项字母)
②请在图乙中以笔划线代替导线,按实验要求将实物图中的连线补充完整.
③根据表中数据,在图丙所示的坐标纸中画出该发光二极管的I-U图线.
由图线得出二极管的阻值随电压的增大而减少(填“不变”、“增大”或“减小”)
④若此发光二极管的最佳工作电流为10mA,现将此发光二极管与电动势为3V、内阻不计的电池组相连,还需串联一个阻值R=110Ω的电阻,才能使它工作在最佳状态 (结果保留三位有效数字).