如图所示是磁场中某区域的磁感线.则A．a.b两处的磁感应强度大小不等.B．a.b两处的磁感应强度大小不等.C．同一段通电导线放在a处受力比放在b处受力大D．同一段通过电导线放在a处受力比放在b受力小题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

题目内容

如图所示是磁场中某区域的磁感线，则（）

A．a、b两处的磁感应强度大小不等，

B．a、b两处的磁感应强度大小不等，

C．同一段通电导线放在a处受力比放在b处受力大

D．同一段通过电导线放在a处受力比放在b受力小

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如图所示，两根平行长直金属导轨倾斜放置，导轨平面与水平面的夹角为θ，导轨的间距为L，两导轨上端之间接有阻值为R的电阻．质量为m的导体棒ab垂直跨接在导轨上，接触良好，导体棒与导轨间的动摩擦因数为μ，导轨和导体棒的电阻均不计，且．在导轨平面上的矩形区（如图中虚线框所示）域内存在着匀强磁场，磁场方向垂直导轨平面向上，磁感应强度的大小为B．当磁场以某一速度沿导轨平面匀速向上运动时，导体棒以速度v₀随之匀速向上运动．设导体棒在运动过程中始终处于磁场区域内．求：
（1）通过导体棒ab的电流大小和方向；
（2）磁场运动的速度大小；
（3）维持导体棒匀速向上运动，外界在时间t内需提供的能量是多少？

如图所示是测量带电粒子质量的仪器工作原理示意图，设法使某有机化合物的气态分子导入图中所示的容器A中，使它受到电子束轰击，失去一个电子变成为正一价的分子离子，分子离子从狭缝S₁以很小的速度进入电压为U的加速电压区(初速不计)，加速后，再通过狭缝S₂，S₃射入磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于磁场区的界面PQ．最后，分子离子打到感光片上，形成垂直于纸面且平行于狭缝S₃的细线，若测得细线到狭缝S₃的距离为d．

(1)导出分子离子质量的表达式；

(2)根据分子离子的质量数M可以推测有机化合物的结构简式，若某种含C，H和卤素的化合物的M为48，写出其结构简式；

(3)现有某种含C，H和卤素的化合物，测得两个M值，分别为64和66．试说明原因，并写出它们的结构简式．

在推测有机化合物的结构时，可能用到的含量较多的同位素的质量数如下表：

如图所示是测量带电粒子质量的仪器工作原理示意图．设法使某有机化合物的气态分子导入图中所示的容器A中，使它受到电子束轰击，失去一个电子变成为正一价的分子离子，分子离子从狭缝S₁以很小的速度进入电压为U的加速电场区(初速不计)，加速后，再通过狭缝S₂、S₃射入磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于磁场区的界面PQ，最后，分子离子打到感光片上，形成垂直于纸面且平行于狭缝S₃的细线，若测得细线到狭缝S₃的距离为d．导出分子离子的质量m的表达式．

如图所示是测量带电粒子质量的仪器——质谱仪的工作原理示意图．设法使某有机化合物的气态分子导入图中所示的容器A中，使它受到电子束轰击，失去一个电子成为正一价的离子．离子从狭缝S₁以很小的速度(即初速度不计)进入电压为U的加速电场区加速后，再通过狭缝S₂、S₃射入磁感应强度为B的匀强磁场(方向垂直于磁场区的界面PQ)中．最后，离子打到感光片上，形成垂直于纸面且平行于狭缝S₃的细线．若测得细线到狭缝S₃的距离为d．请导出离子的质量m的表达式．

如图所示是测量带电粒子质量的仪器工作原理示意图。设法是某有机化合物的气态分子导入图中所示的容器A中，使它受到电子束轰击，失去一个电子变成正一价的分子离子。分子离子从狭缝s₁以很小的速度进入电压为U的加速电场区（初速不计），加速后，再通过狭缝s₂、s₃射入磁感强度为B的匀强磁场，方向垂直于磁场区的界面PQ。最后，分子离子打到感光片上，形成垂直于纸面而且平行于狭缝s₃的细线。若测得细线到狭缝s₃的距离为d
导出分子离子的质量m的表达式。

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