题目内容
7．
如图（a）所示，间距为l、电阻不计的光滑导轨固定在倾角为θ的斜面上．在区域I内有方向垂直于斜面的匀强磁场，磁感应强度为B；在区域Ⅱ内有垂直于面向下的匀强磁场，其磁感应强度Bt的大小随时间t变化的规律如图（b）所示．t=0时刻在轨道上端的金属细棒ab从如图位置由静止开始沿导轨下滑，同时下端的另一金属细棒cd在位于区域I内的导轨上由静止释放．在ab棒运动到区域Ⅱ的下边界EF处之前，cd棒始终静止不动，两棒均与导轨接触良好．已知cd棒的质量为m、电阻为R，ab棒的质量、阻值均未知，区域Ⅱ沿斜面的长度为2l，在t=tx时刻（tx未知）ab棒恰进入区域Ⅱ，重力加速度为g．求：（1）通过cd棒电流的方向和区域I内磁场的方向；
（2）当ab棒在区域Ⅱ内运动时cd棒消耗的电功率；
（3）ab棒开始下滑的位置离EF的距离；
（4）ab棒开始下滑至EF的过程中回路中产生的热量．
分析 （1）根据右手定则判断出ab棒中的电流方向，从而得出通过cd棒中的电流方向，根据cd棒处于静止，通过安培力的方向，根据左手定则判断出区域I内磁场的方向．
（2）对cd棒，根据平衡求出感应电流的大小，根据P=I2R求出当ab棒在区域Ⅱ内运动时cd棒消耗的电功率．
（3）棒ab进入II区域前后回路中的电动势不变，即磁场变化产生电动势与导体切割磁感线产生电动势相等，据此求出导体棒进入II时速度大小，然后根据导体棒匀加速下滑的特点即可求出结果．
（4）回路中电流恒定，根据Q=EIt可求出结果．
解答 解：（1）通过cd棒的电流方向 d→c
区域I内磁场方向为垂直于斜面向上
（2）对cd棒，F安=BIl=mgsinθ所以通过cd棒的电流大小I=$\frac{mgsinθ}{Bl}$
当ab棒在区域II内运动时cd棒消耗的电功率P=I2R=$\frac{{m}^{2}{g}^{2}Rsi{n}^{2}θ}{{B}^{2}{l}^{2}}$．
（3）ab棒在到达区域II前做匀加速直线运动，a=$\frac{{F}_{合}}{m}$=gsinθ
cd棒始终静止不动，ab棒在到达区域Ⅱ前、后，回路中产生的感应电动势不变，则ab棒在区域Ⅱ中一定做匀速直线运动
可得；$\frac{△Φ}{△t}$=Blvt，$\frac{B•2l•l}{{t}_{x}}$=Blgsinθtx，所以tx=$\sqrt{\frac{2l}{gsinθ}}$
ab棒在区域II中做匀速直线运动的速度vt=$\sqrt{2glsinθ}$
则ab棒开始下滑的位置离EF的距离h=$\frac{1}{2}$atx2+2l=3 l
（4）ab棒在区域II中运动的时间t2=$\frac{2l}{{v}_{t}}$=$\sqrt{\frac{2l}{gsinθ}}$
ab棒从开始下滑至EF的总时间t=tx+t2=2$\sqrt{\frac{2l}{gsinθ}}$
E=Blvt=Bl$\sqrt{2glsinθ}$
ab棒从开始下滑至EF的过程中闭合回路中产生的热量：Q=EIt=4mglsinθ
答：（1）通过cd棒的电流方向 d→c，区域I内磁场方向为垂直于斜面向上．
（2）当ab棒在区域Ⅱ内运动时cd棒消耗的电功率为$\frac{{m}^{2}{g}^{2}Rsi{n}^{2}θ}{{B}^{2}{l}^{2}}$．
（3）ab棒开始下滑的位置离EF的距离为3l．
（4）ab棒开始下滑至EF的过程中回路中产生的热量为Bl$\sqrt{2glsinθ}$．
点评 解决这类问题的关键是弄清电路结构，正确分析电路中的电流以及安培力的变化情况．
如图所示，在半径为R的水平圆板中心轴正上方高h处水平抛出一球．圆板做匀速转动．当圆板半径OB转到与初速度平行时，小球开始抛出，要使球与圆板只碰一次，且落点为B，求| A． | 质量数不变，原子序数减少1 | B． | 质量数增加1，原子序数不变 | ||
| C． | 质量数不变，原子序数不变 | D． | 质量数不变，原子序数减少1 |
| A． | 光的传播不需要时间 | B． | 光的传播速度是恒定不变的 | ||
| C． | 光传播的是光能 | D． | 光传播过程中有可能偏折 |
| A． | 明暗相间的条纹 | B． | 屏上一片红光 | C． | 屏仍是成白色 | D． | 屏是黑色的 |