题目内容
| 3 |
(1)粒子射入电场时位置的纵坐标和初速度大小;
(2)粒子在圆形磁场中运动的时间;
(3)若圆形磁场可沿x轴移动,圆心O′在x轴上的移动范围为[0.01,+∞),由于磁场位置的不同,导致该粒子打在荧光屏上的位置也不同,试求粒子打在荧光屏上的范围.
分析:(1)粒子沿AB方向进入电场后做类平抛运动,将射出电场的速度进行分解,根据沿电场方向上的速度,结合牛顿第二定律求出运动的时间,从而得出类平抛运动的水平位移和竖直位移,即得出射入电场的坐标.射出速度在垂直于电场方向上的速度等于初速度的大小.
(2)随着磁场向右移动荧光屏光点位置逐渐下移,当v方向与磁场圆形区域相切,此后,粒子将打在荧光屏的同一位置.根据粒子在匀强磁场中的半径公式,结合几何关系求出粒子打在荧光屏上的范围.
(2)随着磁场向右移动荧光屏光点位置逐渐下移,当v方向与磁场圆形区域相切,此后,粒子将打在荧光屏的同一位置.根据粒子在匀强磁场中的半径公式,结合几何关系求出粒子打在荧光屏上的范围.
解答:解:(1)粒子沿AB方向进入电场后做类平抛运动,在O点将v沿x、y方向分解得:
vx=vcos30°.
vy=vsin30°
根据牛顿第二定律有:a=
=
m/s2=1×1014m/s2.
根据t=
=
s=1×10-8 s.
则有:x=vxt=2×106×
×1×10-8 m=
×10-2 m.
y=
=
m=5×10-3 m.
则粒子射入电场时的坐标位置为:(-
×10-2 m,5×10-3 m).
初速度为:v0=vx=2×106×
m/s=
×106 m/s.
(2)洛仑兹力提供向心力,则有:qvB=m
得:R=
=2×10-2 m=2r;
根据题意分析可知,粒子从坐标原点直接进入圆形匀强磁场时,由于R=2r,根据对称粒子一定代人直径上的最右端D点射出磁场中,此时其轨迹对应的圆心角为60°,由于粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动的周期为T=
;
所以粒子在圆形磁场中运动的时间为:t=
=1.05×10-8s;
(3)由几何关系知此时出射位置为D点,轨迹如图,荧光屏最高端的纵坐标为:L1=2rtan30°=
r≈1.15×10-2m
随着磁场向右移动荧光屏光点位置逐渐下移,当v方向与磁场圆形区域相切,此后,粒子将打在荧光屏的同一位置.
其最低的纵坐标为:L2=4rtan30°=
r≈2.31×10-2m.

答:(1)粒子射入电场时位置的纵坐标(-
×10-2 m,5×10-3 m)和初速度大小
×106 m/s;
(2)粒子在圆形磁场中运动的时间1.05×10-8 s;
(3)若圆形磁场可沿x轴移动,圆心O′在x轴上的移动范围为[0.01,+∞),由于磁场位置的不同,导致该粒子打在荧光屏上的位置也不同,粒子打在荧光屏上的范围(1.15×10-2m,2.31×10-2m).
vx=vcos30°.
vy=vsin30°
根据牛顿第二定律有:a=
| qE |
| m |
| 1×10-10×104 |
| 10-20 |
根据t=
| vy |
| a |
2×106×
| ||
| 1×1014 |
则有:x=vxt=2×106×
| ||
| 2 |
| 3 |
y=
| ||
| 2a |
| (1×106)2 |
| 2×1014 |
则粒子射入电场时的坐标位置为:(-
| 3 |
初速度为:v0=vx=2×106×
| ||
| 2 |
| 3 |
(2)洛仑兹力提供向心力,则有:qvB=m
| v2 |
| R |
得:R=
| mv |
| qB |
根据题意分析可知,粒子从坐标原点直接进入圆形匀强磁场时,由于R=2r,根据对称粒子一定代人直径上的最右端D点射出磁场中,此时其轨迹对应的圆心角为60°,由于粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动的周期为T=
| 2πm |
| qB |
所以粒子在圆形磁场中运动的时间为:t=
| T |
| 6 |
(3)由几何关系知此时出射位置为D点,轨迹如图,荧光屏最高端的纵坐标为:L1=2rtan30°=
2
| ||
| 3 |
随着磁场向右移动荧光屏光点位置逐渐下移,当v方向与磁场圆形区域相切,此后,粒子将打在荧光屏的同一位置.
其最低的纵坐标为:L2=4rtan30°=
4
| ||
| 3 |
答:(1)粒子射入电场时位置的纵坐标(-
| 3 |
| 3 |
(2)粒子在圆形磁场中运动的时间1.05×10-8 s;
(3)若圆形磁场可沿x轴移动,圆心O′在x轴上的移动范围为[0.01,+∞),由于磁场位置的不同,导致该粒子打在荧光屏上的位置也不同,粒子打在荧光屏上的范围(1.15×10-2m,2.31×10-2m).
点评:本题考查粒子在电场中类平抛运动和在磁场中的匀速圆周运动,对学生几何能力要求较高,能够找出问题的临界情况是解决本题的关键.
练习册系列答案
相关题目