题目内容

多晶硅(硅单质的一种)被称为“微电子大厦的基石”,制备中副产物以SiCl4为主,它环境污染很大,能遇水强烈水解且水解完全,放出大量的热.研究人员利用SiCl4水解生成的盐酸和钡矿粉(主要成分为BaCO3,且含有铁、镁等离子)制备BaCl2?2H2O,工艺流程如下:

已知:
①温下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分别是3.4、12.4
②滤液温度25℃,Ksp[Fe(OH)3]=2.2×10-38回答下列问题:
(1)SiCl4发生水解反应的化学方程式为
 

(2)用H2还原SiCl4蒸气可制取纯度很高的硅,当反应中有1mol电子转移时吸收59KJ热量,则该反应的热化学方程式为
 

(3)加钡矿粉并调节pH=7的目的是①
 
,②
 

(4)过滤②后的滤液中Fe3+浓度为
 

(5)生成滤渣A的离子方程式
 
考点:物质分离和提纯的方法和基本操作综合应用
专题:实验设计题
分析:流程分析可知四氯化硅控制温度40°C,加入水水解生成原硅酸和氯化氢,过滤得到盐酸溶液,加入钡矿粉主要成分为BaCO3,且含有铁、镁等离子,调节溶液pH=7,使BaCO3转化为BaCl2,同时使Fe3+完全沉淀,过滤得到滤渣为氢氧化铁,滤液加入氢氧化钠溶液调节溶液pH=12.5,控制70°C,得到氢氧化镁沉淀,过滤得到滤液为氯化钡溶液蒸发浓缩,冷却结晶,过滤洗涤得到氯化钡晶体;
(1)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氢;
(2)依据热化学方程式书写方法得到由SiCl4制备硅的热化学方程式,注意焓变的计算;
(3)pH=3.4时,三价铁离子转化为氢氧化铁,当调节PH=7时能促使三价铁离子沉淀完全;  
(4)依据溶度积常数计算;
(5)根据氢氧化铁和氢氧化镁完全沉淀所需溶液的PH值确定滤渣A的成分.
解答: 解:(1)用H2还原SiCl4蒸气可制取纯度很高的硅,当反应中有1mol电子转移时吸收59KJ热量,转移4mol电子吸收热量236KJ,反应的热化学方程式:SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol,
故答案为:SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol;
(2)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氢,水解方程式为:SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl,故答案为:SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl;
(3)pH=3.4时,三价铁离子完全生成沉淀,使Fe3+完全沉淀;盐酸和碳酸钡反应生成氯化钡和二氧化碳、水,加钡矿粉并调节pH=7的作用是使BaCO3转化为BaCl2,同时使使Fe3+完全沉淀,
故答案为:使BaCO3转化为BaCl2;使Fe3+完全沉淀生成氢氧化铁沉淀;       
(4)pH=7溶液中铁离子全部沉淀,c(OH-)=10-7mol/L,Ksp[Fe(OH)3]=c(Fe3+)c3(OH-)=2.2×10-38,c(Fe3+)=
2.2×10-38
(10-7)3
=2.2×10-17mo/L;
故答案为:2.2×10-17mo/L;
(5)当pH=3.4时,铁离子完全生成沉淀,当pH=12.4时,镁离子完全沉淀生成氢氧化镁,Mg(OH)2,所以当pH=12.5时,滤渣A的成分是氢氧化镁,反应的离子方程式为:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓,故答案为:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓.
点评:本题考查了BaCl2?2H2O制备实验方案的设计方法,题目难度中等,为高考的热点,正确理解制备流程、反应原理为解答关键,涉及了制备方案的设计、热化学方程式、离子方程式书写,试题充分考查了学生的分析、理解能力及灵活应用所学知识的能力.
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