题目内容
3.有A、B、C、D、E五种短周期主族元素,原子序数由A到E逐渐增大.①A元素最外层电子数是次外层电子数的2倍. ②B的阴离子和C的阳离子与氖原子的电子层结构相同.③在通常状况下,B的单质是气体,0.1molB的气体与足量的氢气完全反应共有0.4mol电子转移.④C的单质在点燃时与B的单质充分反应,生成淡黄色的固体,此淡黄色固体能与AB2反应可生成B的单质.⑤D的气态氢化物与其最高价含氧酸间能发生氧化还原反应.请写出:(1)A元素的最高价氧化物的电子式
(2)B元素在周期表中的位置第二周期VIA族.
(3)B单质与C单质在点燃时反应的生成物中所含化学键类型有离子键、共价键.
(4)D元素的低价氧化物与E的单质的水溶液反应的化学方程式为SO2+Cl2+2H2O=H2SO4+2HCl.
(5)C与D能形成2:1的化合物,用电子式表示该化合物的形成过程的
(6)元素D与元素E相比,非金属性较强的是Cl(用元素符号表示),下列表述中能证明这一事实的是bd(填选项序号).
a.常温下D的单质和E的单质状态不同
b.E的氢化物比D的氢化物稳定
c.一定条件下D和E的单质都能与钠反应
d.D的最高价含氧酸酸性弱于E的最高价含氧酸
e.D的单质能与E的氢化物反应生成E单质.
分析 有A、B、C、D、E五种短周期主族元素,原子序数由A到E逐渐增大.A的最外层电子数是次外层电子数的2倍,则A原子有2个电子层,最外层电子数为4,则A为碳元素;B的阴离子和C的阳离子与氖原子的电子层结构相同,则C处于第三周期、B处于第二周期,在通常状况下,B的单质是气体,0.1molB的气体与足量的氢气完全反应共有0.4mol电子转移,B元素表现-2价,则B为O元素;C的单质在点燃时与B的单质充分反应,生成淡黄色的固体,此淡黄色固体能与AB2反应可生成B的单质,则C为Na;D的气态氢化物与其最高价含氧酸间能发生氧化还原反应,E的原子序数最大,则D为S元素,E为Cl,据此解答.
解答 解:有A、B、C、D、E五种短周期主族元素,原子序数由A到E逐渐增大.A的最外层电子数是次外层电子数的2倍,则A原子有2个电子层,最外层电子数为4,则A为碳元素;B的阴离子和C的阳离子与氖原子的电子层结构相同,则C处于第三周期、B处于第二周期,在通常状况下,B的单质是气体,0.1molB的气体与足量的氢气完全反应共有0.4mol电子转移,B元素表现-2价,则B为O元素;C的单质在点燃时与B的单质充分反应,生成淡黄色的固体,此淡黄色固体能与AB2反应可生成B的单质,则C为Na;D的气态氢化物与其最高价含氧酸间能发生氧化还原反应,E的原子序数最大,则D为S元素,E为Cl.
(1)A为碳元素,最高价氧化物为CO2,电子式为
,故答案为:
;
(2)B为氧元素,在周期表中的位置:第二周期VIA族,故答案为:第二周期VIA族;
(3)B单质与C单质在点燃时反应的生成物为Na2O2,含有离子键、共价键,故答案为:离子键、共价键;
(4)D元素的低价氧化物为二氧化硫,与氯气的水溶液反应的方程式为:SO2+Cl2+2H2O=H2SO4+2HCl,
故答案为:SO2+Cl2+2H2O=H2SO4+2HCl;
(5)C与D能形成2:1的化合物为Na2S,用电子式表示该化合物的形成过程:
,
故答案为:
;
(6)同周期自左而右元素非金属性增强,故非金属性Cl>S,
a.单质状态属于物理性质,不能比较元素非金属性,故a错误;
b.氢化物稳定性与元素非金属性一致,氯化氢比硫化氢稳定,说明氯的非金属性更强,故b正确;
c.与变价金属反应可以根据产物中金属化合价判断非金属元素的非金属性强弱,Na不是变价金属,不能判断硫与氯的非金属性强弱,故c错误;
d.最高价含氧酸的酸性与中心元素的非金属性一致,故d正确;
e.硫不能与HCl反应生成氯气,故e错误,
故答案为:Cl;bd.
点评 本题考查结构性质位置关系应用,推断元素是解题关键,注意掌握金属性、非金属性强弱比较实验事实.
| 元素性质 | 元素编号 | |||||||
| A | B | C | D | E | F | G | H | |
| 原子半径(nm) | 0.102 | 0.117 | 0.074 | 0.110 | 0.071 | 0.075 | 0.077 | 0.099 |
| 最高化合价 | +6 | +4 | +5 | +5 | +4 | +7 | ||
| 最低化合价 | -2 | -4 | -2 | -3 | -1 | -3 | -4 | -1 |
(2)A、C、E的氢化物稳定性顺序由大到小是HF>H2O>H2S.(用化学式回答)
(3)分子组成为ACH2的物质在水中会强烈水解,产生使品红溶液褪色的无色气体和一种强酸.该反应的化学方程式是SOCl2+H2O=SO2↑+2HCl.
(4)请写出B的单质的一种重要用途用作半导体材料、制造合金、光电池、计算机芯片等.