题目内容
6.常温下体积相同的盐酸和氯乙酸(CH2ClCOOH)两种溶液中.c(Cl-)=c(CH2C1COO-)=0.01mol•L-1.回答下列问题:(1)上述两种酸溶液中,pH(盐酸)>(填“<”“=”或“>”)pH(氯乙酸).
(2)两种溶液分别加入足量的Zn,产生气体较多的是氯乙酸.
(3)两种溶液加水稀释相同倍数后,c(Cl-)=(填“<”“=”“>”)c(CH2ClCOO-),理由是稀释后,两离子物质的量不变,体积依然相等,所以c(Cl-)=c(CH2ClCOO-).
(4)下列措施中能使CH2ClCOOH的电离平衡向右移动的是AD
A.加水 B.降温 C.加入氯乙酸钠固体 D.加入氯乙酸.
分析 盐酸是强酸,氯乙酸是弱酸,根据盐酸和氯乙酸(CH2ClCOOH)溶液中,c(Cl-)=c(CH2C1COO-)=0.01mol•L-1,则氯乙酸的浓度大于盐酸,氯乙酸的物质的量大于盐酸,据此进行回答判断即可.
解答 解:盐酸是强酸,氯乙酸是弱酸,根据盐酸和氯乙酸(CH2ClCOOH)溶液中,c(Cl-)=c(CH2C1COO-)=0.01mol•L-1,则氯乙酸的浓度大于盐酸,氯乙酸的物质的量大于盐酸,
(1)上述两种酸溶液中,pH(盐酸)=2,c(CH2C1COO-)=0.01mol•L-1,其中氢离子浓度大于,0.01mol•L-1,pH<2,所以pH(盐酸)>pH(氯乙酸).故答案为:>;
(2)氯乙酸的物质的量大于盐酸,2种溶液分别加入足量的Zn,产生气体较多的是氯乙酸,故答案为:氯乙酸;
(3)两种溶液加水稀释相同倍数后,溶质的物质的量不变,稀释之前c(Cl-)=c(CH2C1COO-)=0.01mol•L-1,体积相等,所以两离子物质的量是一样的,稀释后,两离子物质的量不变,体积依然相等,所以c(Cl-)=c(CH2ClCOO-),故答案为:=;稀释后,两离子物质的量不变,体积依然相等,所以c(Cl-)=c(CH2ClCOO-);
(4)A.加水促进电离,能使CH2ClCOOH的电离平衡向右移动,故正确;
B.电离是吸热的,降温使CH2ClCOOH的电离平衡向左移动,故错误;
C.加入氯乙酸钠固体相当于增加了氯乙酸根离子的浓度,电离平衡向左移动,故错误;
D.加入氯乙酸,能使CH2ClCOOH的电离平衡向右移动,故正确.
故选AD.
点评 本题考查学生弱电解质的电离平衡的移动原理以及应用知识,注意知识的迁移应用是关键,难度中等.
练习册系列答案
相关题目
17.常温下0.1mol/L氨水溶液的pH=a,下列能使溶液pH=(a-1)的措施是( )
| A. | 将溶液稀释到原体积的10倍 | B. | 加入适量的氯化铵固体 | ||
| C. | 加入等体积0.1 mol/L烧碱溶液 | D. | 加入等体积0.1 mol/L盐酸 |
14.物质的性质与其组成和结构相关,下列有关物质的物理性质比较错误的是( )
| A. | 硬度:白垩<金刚石 | B. | 熔点:Na<Mg | ||
| C. | 沸点:H2O<H2S | D. | 在水中溶解性:乙酸丁酯<乙酸 |
1.室温时,等体积、浓度均为0.1mol/L的下列水溶液,分别达到平衡.
①醋酸溶液:CH3COOH?CH3COO+H+
②醋酸钠溶液:CH3COO-+H2O?CH3COOH+OH-.
有关叙述中正确的是( )
①醋酸溶液:CH3COOH?CH3COO+H+
②醋酸钠溶液:CH3COO-+H2O?CH3COOH+OH-.
有关叙述中正确的是( )
| A. | 加入等体积水后,只有②中平衡向右移动 | |
| B. | 加入等体积水后,①中c(OH-)增大,②中c(OH-)减小 | |
| C. | ①和②中,由水电离出的c(H+)相等 | |
| D. | c(CH3COOH)与c(CH3COO-)之和:①>② |
18.以氮化镓(GaN)、碳化硅、金刚石等为代表的第三代半导体材料具有高发光效率、抗腐蚀、化学稳定性好、高强度等特性,是目前最先进的半导体材料.
完成下列填空:
(1)组成上述三种半导体材料的各种元素中,原子半径最小的元素在周期表中的位置是第二周期第ⅤA主族.原子序数最小的元素原子的核外电子排布式是1s22s22p2.
(2)镓元素的相对原子质量为69.72,自然界中的镓共有两种稳定的同位素,其中69Ga的原子个数百分含量为60.1%,则另一种镓的同位素可表示为3171Ga.
(3)镓、铝为同族元素,性质相似.下表是两种两性氢氧化物的电离常数.
①写出氢氧化镓的电离方程式:H++H2O+GaO2-?Ga(OH)3?Ga3++3OH-.
②将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液,再往反应后的溶液中缓缓通入CO2,最先析出的氢氧化物是Al(OH)3.
(4)碳化硅单晶是目前技术最成熟的第三代半导体材料.下列能说明碳的非金属性强于硅的反应(或反应组)是ac(选填编号)
a.SiO32-+2CO2+2H2O→H2SiO3+2HCO3-
b.SiO2+2C$\stackrel{高温}{→}$Si+2CO↑
c.SiH4$\stackrel{500℃}{→}$Si+2H2;CH4$\stackrel{>1000℃}{→}$C+2H2
d.Si+O2$\stackrel{900℃}{→}$SiO2;C+O2$\stackrel{300℃}{→}$CO2.
完成下列填空:
(1)组成上述三种半导体材料的各种元素中,原子半径最小的元素在周期表中的位置是第二周期第ⅤA主族.原子序数最小的元素原子的核外电子排布式是1s22s22p2.
(2)镓元素的相对原子质量为69.72,自然界中的镓共有两种稳定的同位素,其中69Ga的原子个数百分含量为60.1%,则另一种镓的同位素可表示为3171Ga.
(3)镓、铝为同族元素,性质相似.下表是两种两性氢氧化物的电离常数.
| 两性氢氧化物 | Al(OH)3 | Ga(OH)3 |
| 酸式电离常数Kia | 2×10-11 | 1×10-7 |
| 碱式电离常数Kib | 1.3×10-33 | 1.4×10-34 |
②将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液,再往反应后的溶液中缓缓通入CO2,最先析出的氢氧化物是Al(OH)3.
(4)碳化硅单晶是目前技术最成熟的第三代半导体材料.下列能说明碳的非金属性强于硅的反应(或反应组)是ac(选填编号)
a.SiO32-+2CO2+2H2O→H2SiO3+2HCO3-
b.SiO2+2C$\stackrel{高温}{→}$Si+2CO↑
c.SiH4$\stackrel{500℃}{→}$Si+2H2;CH4$\stackrel{>1000℃}{→}$C+2H2
d.Si+O2$\stackrel{900℃}{→}$SiO2;C+O2$\stackrel{300℃}{→}$CO2.
15.下列装置或操作正确的是( )
| A. | 净化SO2 | B. | 制硝基苯 | C. | 银镜反应 | D. | 制取乙酸乙酯 |