题目内容

6.欲除去氯化氢气体中混有的少量氯气,可将混合气体通过(  )
A.饱和食盐水B.氢氧化钠C.灼热的铜网D.浓硫酸

分析 氯气难溶于饱和食盐水,HCl极易溶于水,氯气与Cu反应生成氯化铜,HCl与Cu不反应,据此分析.

解答 解:A.氯气难溶于饱和食盐水,但HCl极易溶于水,不能用饱和食盐水除去氯化氢气体中混有的少量氯气,故A错误;
B.氯气和氯化氢都能与氢氧化钠溶液反应,不能用于除杂,故B错误;
C.在加热时氯气与Cu反应生成氯化铜HCl不反应,所以能用铜网除去氯化氢气体中混有的少量氯气,故C正确;
D.浓硫酸与氯气、HCl都不反应,所以不能除去氯化氢气体中混有的少量氯气,故D错误;
故选C.

点评 本题考查了HCl气体的除杂问题,题目难度不大,本题注意除杂时不能影响被提纯物质的性质.

练习册系列答案
相关题目
9.硅单质及其化合物应用范围很广.请回答下列问题:
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法,生产过程示意图如图:
石英砂$→_{高温}^{焦炭}$粗硅$→_{573K以上}^{HCl}$SiHCl3(粗)$\stackrel{精馏}{→}$SiHCl3(纯)$→_{1357K}^{H_{2}}$高纯硅
①写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;1357K\;}}{\;}$Si+3HCl.
②整个制备过程必须严格控制无水无氧.SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,写出配平的化学反应方程式SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑.
③H2还原SiHCl3过程中若混O2,可能引起的后果是高温下,H2遇O2发生爆炸.
④已知2gH2在O2中完全燃烧生成水蒸气时放出241.8kJ的热量.写出H2在O2中完全燃烧生成水蒸气的热化学方程式:2H2(g)+O2(g)═2H2O(g)△H=-483.6 kJ/mol.
(2)下列对硅材料的说法正确的是ABC(填字母).
A.氮化硅硬度大、熔点高,可用于制作高温陶瓷和轴承
B.高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料--光导纤维
C.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的,其熔点很高
D.盐酸可以与硅反应,故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(3)硅酸钠水溶液俗称水玻璃.取少量硅酸钠溶液于试管中,通入二氧化碳气体,振荡,观察.
①实验现象是:生成白色胶状沉淀.②写出发生反应的离子方程式:SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3•H2O+H2SiO3↓.

违法和不良信息举报电话:027-86699610 举报邮箱:58377363@163.com

精英家教网