题目内容
8.某同学设计完成了以下两个实验:①向盛有KI溶液的试管中加入少许CCl4后滴加氯水,CCl4层变成紫色.继续向试管中滴加氯水,振荡,CCl4层会逐渐变浅,最后变成无色(生成了HIO3).
②向盛有KBr溶液的试管中加入少许CCl4后滴加氯水,CCl4层变成红棕色.继续向试管中滴加氯水,振荡,CCl4层的颜色没有变化.
下列说法不正确的是( )
| A. | 实验①生成HIO3时发生的反应为:I2+5 Cl2+6 H2O=2 HIO3+10 HCl | |
| B. | 实验②中当CCl4层变成红棕色时可通过萃取分液的方法获得Br2的CCl4溶液 | |
| C. | 根据上述实验可得出Cl2、Br2、I2的氧化性由强到弱的顺序是:Cl2>Br2>I2 | |
| D. | 根据上述实验可得出Cl2、HIO3、HBrO3氧化性由强到弱的顺序是:HBrO3>Cl2>HIO3 |
分析 A.由继续向试管中滴加氯水,振荡,CCl4层会逐渐变浅,最后变成无色(生成了HIO3)可知,氯气可氧化碘单质;
B.由盛有KBr溶液的试管中加入少许CCl4后滴加氯水,CCl4层变成红棕色可知,溴易溶于四氯化碳;
C.由氧化剂的氧化性大于氧化产物的氧化性可知,①中氧化性为Cl2>I2,②中氧化物为Cl2>Br2;
D.由①②中继续滴加氯水的现象及氧化剂的氧化性大于氧化产物的氧化性判断.
解答 解:A.由继续向试管中滴加氯水,振荡,CCl4层会逐渐变浅,最后变成无色(生成了HIO3)可知,氯气可氧化碘单质,发生离子反应为I2+5Cl2+6 H2O=2 HIO3+10HCl,故A正确;
B.由盛有KBr溶液的试管中加入少许CCl4后滴加氯水,CCl4层变成红棕色可知,溴易溶于四氯化碳,则可通过萃取分液的方法获得Br2的CCl4溶液,故B正确;
C.由氧化剂的氧化性大于氧化产物的氧化性可知,①中氧化性为Cl2>I2,②中氧化物为Cl2>Br2,不能比较Br2、I2的氧化性,故C错误;
D.由①②中继续滴加氯水的现象及氧化剂的氧化性大于氧化产物的氧化性可知,氧化性由强到弱的顺序是:HBrO3>Cl2>HIO3,故D正确;
故选C.
点评 本题考查化学实验方案的评价,为高频考点,把握物质的性质、发生的氧化还原反应、氧化性比较方法为解答的关键,侧重分析与实验能力的考查,注意元素化合物知识与实验的结合,题目难度不大.
练习册系列答案
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完成下列填空:
(1)组成上述三种半导体材料的各种元素中,原子半径最小的元素在周期表中的位置是第二周期第ⅤA主族.原子序数最小的元素原子的核外电子排布式是1s22s22p2.
(2)镓元素的相对原子质量为69.72,自然界中的镓共有两种稳定的同位素,其中69Ga的原子个数百分含量为60.1%,则另一种镓的同位素可表示为3171Ga.
(3)镓、铝为同族元素,性质相似.下表是两种两性氢氧化物的电离常数.
①写出氢氧化镓的电离方程式:H++H2O+GaO2-?Ga(OH)3?Ga3++3OH-.
②将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液,再往反应后的溶液中缓缓通入CO2,最先析出的氢氧化物是Al(OH)3.
(4)碳化硅单晶是目前技术最成熟的第三代半导体材料.下列能说明碳的非金属性强于硅的反应(或反应组)是ac(选填编号)
a.SiO32-+2CO2+2H2O→H2SiO3+2HCO3-
b.SiO2+2C$\stackrel{高温}{→}$Si+2CO↑
c.SiH4$\stackrel{500℃}{→}$Si+2H2;CH4$\stackrel{>1000℃}{→}$C+2H2
d.Si+O2$\stackrel{900℃}{→}$SiO2;C+O2$\stackrel{300℃}{→}$CO2.
完成下列填空:
(1)组成上述三种半导体材料的各种元素中,原子半径最小的元素在周期表中的位置是第二周期第ⅤA主族.原子序数最小的元素原子的核外电子排布式是1s22s22p2.
(2)镓元素的相对原子质量为69.72,自然界中的镓共有两种稳定的同位素,其中69Ga的原子个数百分含量为60.1%,则另一种镓的同位素可表示为3171Ga.
(3)镓、铝为同族元素,性质相似.下表是两种两性氢氧化物的电离常数.
| 两性氢氧化物 | Al(OH)3 | Ga(OH)3 |
| 酸式电离常数Kia | 2×10-11 | 1×10-7 |
| 碱式电离常数Kib | 1.3×10-33 | 1.4×10-34 |
②将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液,再往反应后的溶液中缓缓通入CO2,最先析出的氢氧化物是Al(OH)3.
(4)碳化硅单晶是目前技术最成熟的第三代半导体材料.下列能说明碳的非金属性强于硅的反应(或反应组)是ac(选填编号)
a.SiO32-+2CO2+2H2O→H2SiO3+2HCO3-
b.SiO2+2C$\stackrel{高温}{→}$Si+2CO↑
c.SiH4$\stackrel{500℃}{→}$Si+2H2;CH4$\stackrel{>1000℃}{→}$C+2H2
d.Si+O2$\stackrel{900℃}{→}$SiO2;C+O2$\stackrel{300℃}{→}$CO2.
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| C. | 25°C时,0.1 mol/L NaClO的pH大于0.1 mol/L Na2CO3的pH | |
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