31.(16分)玉米是雌雄同株异花植物,已知宽叶(A)对窄叶(a)为显性,且在玉米苗期便能识别。根据生产实践获知,杂交种(Aa)所结果实在数目和粒重上都表现为高产,分别比显性和隐性品种产量高12%、20%。某农场在培育玉米杂交种时,将纯种宽叶玉米和纯种窄叶玉米进行了间行均匀种植,但由于错过了人工授粉的时机,结果导致大面积自然授粉[同株异花授粉(自交)与品种间异株异花授粉(杂交)]。根据上述信息回答下列问题:

(1)按照上述栽种方式,两个品种玉米授粉方式共计有  ▲  种。F1植株的基因型有

   ▲  

(2)如果用上述自然授粉收获的种子用于第二年种植,预计收成将比单独种植杂交种减少8%,因此到了收获的季节,应收集   ▲  (宽叶、窄叶)植株的种子,第二年播种后,选择    ▲   (宽叶、窄叶)植株栽种,才能保证产量不下降。

(3)玉米矮花叶病,由玉米矮花叶病毒引起,苗期出现黄绿相间条纹状叶,重病株不能结穗。高抗玉米矮花叶病(b)为隐性,现将纯种宽叶高感矮花叶病玉米(AABB)与纯种窄叶高抗矮花叶病玉米(aabb)两品种进行杂交,得到F1种子。请在此基础上,只按杂交育种的方法设计方案(用遗传图解加适当的文字说明表示),在最短时间内获得高产的高抗矮花叶病玉米植株。并写出此种方法在培育该品种的缺陷。

   ▲   

(4)如果通过基因工程,使玉米线粒体中拥有抗玉米螟的抗虫基因。试问能不能通过花粉将抗虫基因传给近缘植物?为什么?

    ▲   

 

30. ( 26 分)

I(12分)、下图是利用某些单子叶植物幼苗完成的几组经典实验:

请根据上面的实验过程和结果回答下面的第⑴-⑷问题:

(1)依据达尔文实验.可以做出两点推论: ① 该单子叶幼苗接受单侧光刺激的部位是        ② 这种刺激能造成胚芽鞘向光弯曲,其原因是       

⑵詹森实验的结论是            

如果在黑暗条件下重复詹森对单子叶植物幼苗胚芽鞘的处理方法,结果将会怎样?                

⑶拜尔实验的结论是             

(4)请你给温特实验设计一个对照实验,以确认促进胚芽鞘尖端下部生长的物质来自胚芽鞘的尖端(以简图表示)。

                 

Ⅱ、回答下列问题(14分)

影响绿色植物光合作用的因素是多方面的,其外界因素有光照强度、CO2含量、温度等,其内部因素有酶的活性、色素的数量、五碳化合物的含量等,请据下图分析:

⑴如果x代表光照强度,光照强度影响光合作用强度,主要是影响    阶段,当光合作用强度达到最大值时,此时限制因素最可能是内部因素中的         

⑵如果x代表温度,温度主要通过影响        来影响光合作用强度。

⑶如果x代表CO2的含量,CO2的含量影响光合作用强度,主要是影响     的产生,当光合作用强度达到最大值时,此时限制因素最可能是内部因素中的      

⑷果在阴雨天气,温室内光照强度小于5千勒克斯,采取什么措施可以有助于提高光合产量:      。请利用右上图阐明其原因:              

27.(16分)

    (1)工业上以粗铜为原料采取如图17所示流程制备硝酸铜晶体。

①步骤a中,还需要通入氧气和水,其目的是        

②根据下表数据,在保温去铁的过程中,为使Fe3+沉淀完全,可以向溶液中加入CuO,调节溶液的pH,根据下表数据,溶液的pH应保持在         范围。

 
氢氧化开始沉淀时pH
氢氧化物沉淀完全时的pH
Fe3+
­Cu2+
1.9
4.7
3.2
6.7

不用加水的方法调节溶液pH的主要原因是        

  ③进行蒸发浓缩时,要用硝酸调节溶液的pH=1,其原因是(结合离子方程式说明)        

  (2)工业上常利用硝酸铜溶液电镀铜,电镀时

阴极反应式是        

  (3)图18是某小组同学查阅资料所绘出的硝酸

铜晶体[Cu(NO­3)2·nH2O]的溶解度曲线

(温度在30℃前后对应不同的晶体),下

列说法正确的是      (填字母)。

a.A点时溶液为不饱和溶液

b.B点时两种晶体可以共存

c.按上述流程终得到晶体是Cu(NO3)2·3H2O

d.若将C点时的溶液降温至30℃以下,可以析出Cu(NO3)2·6H2O晶体

  (4)某些共价化合物(如H2O、NH3、N2O4等)在液态时有微弱的导电性,主要是因为发生了电离,如:2NH3   NH4++NH2-,由此制备无水硝酸铜的方法之一是用Cu与液态N2O4反应。液态N2O4电离得到的两种离子所含电子数相差18,则液态N2O4电离的方程式是         ;Cu与液态N2O4反应制得无水硝酸铜的化学方程式是        

25.(20分)速调管是用于甚高频信号放大的一种装置(如图15所示),其核心部件是由两个相距为s的腔组成,其中输入腔由一对相距为l的平行正对金属板构成(图中虚线框内的部分)。已知电子的质量为m,电荷量为e,为计算方便,在以下的讨论中电子之间的相互作用力及其重力均忽略不计。

  (1)若输入腔中的电场保持不变,电子以一定的初速度v0从A板上的小孔沿垂直A板的方向进入输入腔,而由B板射出输入腔时速度减为v0/2,求输入腔中的电场强度E的大小及电子通过输入腔电场区域所用的时间t;

  (2)现B板接地(图中未画出),在输入腔的两极板间加上如图16所示周期为T的高频方波交变电压,在t=0时A板电势为U0,同时电子以速度v0连续从A板上的小孔沿垂直A板的方向射入输入腔中,并能从B板上的小孔射出,射向输出腔的C孔。若在nT~(n + 1)T的时间内(n = 0,1,2,3,……),前半周期经B板射出的电子速度为v1(未知),后半周期经B板射出的电子速度为v2(未知),求v1v2的比值;(由于输入腔内极板间距离很小,且电子的速度很大,因此电子通过输入腔的时间忽略不计)

  (3)在上述速度分别为v1v2的电子中,若t时刻经过B板射出的速度为v1的电子总能与时刻经B板射出的速度为v2的电子同时进入输出腔,则可通过相移器的控制将电子的动能转化为输出腔中的电场能,从而实现对甚高频信号进行放大的作用。为实现上述过程,输出腔的C孔到输入腔的右极板B的距离s应满足什么条件?

 0  123089  123097  123103  123107  123113  123115  123119  123125  123127  123133  123139  123143  123145  123149  123155  123157  123163  123167  123169  123173  123175  123179  123181  123183  123184  123185  123187  123188  123189  123191  123193  123197  123199  123203  123205  123209  123215  123217  123223  123227  123229  123233  123239  123245  123247  123253  123257  123259  123265  123269  123275  123283  447348 

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