7．如图甲所示的电路中，理想变压器原、副线圈匝数比为10：1，副线圈接有电压表、光敏电阻R（其阻值随光强增大而减小）、“12V、6W”的小灯泡D．电流表、电压表均为理想电表．原线圈接入如图乙所示的正弦交流电压u，下列说法正确的是（ ）
| A． | 电压u的频率为100 Hz | |
| B． | 电压表的示数为22V | |
| C． | 照射R的光变弱时，电流表的示数变大 | |
| D． | 调节照射R的光强度，可以使灯泡D正常发光 |
6．下列说法正确的（ ）
| A． | 若使放射性物质的温度升高，其半衰期不变 | |
| B． | α粒子散射实验可以估算出原子核直径的数量级为10-10m | |
| C． | β衰变所释放的电子是原子核外的电子电离形成的 | |
| D． | 汤姆孙发现电子，表明原子具有核式结构 | |
| E． | 由波尔理论知道氢原子从激发态跃迁到基态时会放出光子 |
5．下列说法中正确的是（ ）
| A． | 用打气筒给自行车打气需用力向下压活塞，这说明气体分子间有斥力 | |
| B． | 物体体积增大时，分子间距增大，分子间势能也增大 | |
| C． | 热量可以从低温物体传递到高温物体 | |
| D． | 对物体做功，物体的内能可能减小 | |
| E． | 物体中所有分子的热运动动能的总和叫做物体的内能 |
4．某学习小组的同学设计了如图1所示的电路来测量定值电阻R0的阻值（约为几欧到十几欧）及电源的电动势E和内阻r．
实验器材有：待测电源，待测电阻R0，电流表A（量程为0.6A，内阻不计），电阻箱R（0～99.9Ω），开关S1和S2，导线若干．
（1）先测电阻R0的阻值．请将学习小组同学的操作补充完整：
先闭合S1和S2，调节电阻箱，读出其示数R1和对应的电流表示数I，然后断开S2，调节电阻箱的阻值，使电流表的示数仍为I，读出此时电阻箱的示数R2．则电阻R0的表达式为R0=R1-R2．
（2）同学们通过上述操作，测得电阻R0=9.5Ω，继续测电源的电动势E和内阻r．该小组同学的做法是：闭合S1，断开S2，多次调节电阻箱，读出多组电阻箱示数R和对应的电流表示数I，如表数据：
①请根据给定如图2的坐标系并结合以上数据描点作图．
②利用图象求出该电源的电动势E=6.0V，内阻r=2.5Ω（保留两位有效数字）
实验器材有：待测电源，待测电阻R0，电流表A（量程为0.6A，内阻不计），电阻箱R（0～99.9Ω），开关S1和S2，导线若干．
（1）先测电阻R0的阻值．请将学习小组同学的操作补充完整：
先闭合S1和S2，调节电阻箱，读出其示数R1和对应的电流表示数I，然后断开S2，调节电阻箱的阻值，使电流表的示数仍为I，读出此时电阻箱的示数R2．则电阻R0的表达式为R0=R1-R2．
（2）同学们通过上述操作，测得电阻R0=9.5Ω，继续测电源的电动势E和内阻r．该小组同学的做法是：闭合S1，断开S2，多次调节电阻箱，读出多组电阻箱示数R和对应的电流表示数I，如表数据：
| 组数 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| 电阻R/Ω | 0 | 3.0 | 6.0 | 12.0 | 18.0 |
| 电流I/A | 0.50 | 0.40 | 0.33 | 0.25 | 0.20 |
②利用图象求出该电源的电动势E=6.0V，内阻r=2.5Ω（保留两位有效数字）
2．
如图所示，正方形ABCD处于真空中一对等量异种点电荷形成的电场中，点电荷和正方形共面．已知AC连线为电场中的一条等势线（图中未画出），下列分析正确的是（ ）
如图所示，正方形ABCD处于真空中一对等量异种点电荷形成的电场中，点电荷和正方形共面．已知AC连线为电场中的一条等势线（图中未画出），下列分析正确的是（ ）| A． | B、D两点场强大小一定相等 | |
| B． | A、C两点场强大小一定相等 | |
| C． | B、D两点电势可能相等 | |
| D． | 若将一电荷先从A移到B，再从B移到C，电势能的变化量大小相等 |
1．
如图所示，一理想变压器原、副线圈的匝数比n1：n2=4：1，电源电压u=220$\sqrt{2}$sin314t（V），原线圈电路中接入熔断电流I0=1A的保险丝，副线圈电路中接入一可变电阻R，电压表为理想电表．则（ ）
如图所示，一理想变压器原、副线圈的匝数比n1：n2=4：1，电源电压u=220$\sqrt{2}$sin314t（V），原线圈电路中接入熔断电流I0=1A的保险丝，副线圈电路中接入一可变电阻R，电压表为理想电表．则（ ）| A． | 电压表的读数为55$\sqrt{2}$V | |
| B． | 当可变电阻R的阻值变大时，电源的输出功率变小 | |
| C． | 副线圈的输出功率一定是220W | |
| D． | 可变电阻R的最小电阻值为13.75Ω |
20．
如图所示，一用粗细均匀的导线制成的正方形导线框abcd，以恒定的速度垂直穿过正方形的匀强磁场区域（正方形的边与磁场的边界平行，并且磁场边界的宽度大于正方形的边长）．在导线框进入和穿出磁场的过程中，ab边的电压分别为U1和U2，通过导线框某一横截面的电量分别为q1和q2，下列说法正确的是（ ）
如图所示，一用粗细均匀的导线制成的正方形导线框abcd，以恒定的速度垂直穿过正方形的匀强磁场区域（正方形的边与磁场的边界平行，并且磁场边界的宽度大于正方形的边长）．在导线框进入和穿出磁场的过程中，ab边的电压分别为U1和U2，通过导线框某一横截面的电量分别为q1和q2，下列说法正确的是（ ）| A． | U1＞U2 | B． | U1＜U2 | C． | q1＜q2 | D． | q1=q2 |
19．一个氘核和一个氚核聚变结合成一个氦核，同时放出一个中子，并释放核能．已知氘核、氚核、氦核、中子的质量分别为m1、m2、m3、m4，真空中的光速为c．下列说法正确的是（ ）
| A． | 核反应方程是${\;}_{1}^{2}$H+${\;}_{1}^{3}$H→${\;}_{2}^{4}$He+${\;}_{0}^{1}$n | |
| B． | 聚变反应中的质量亏损△m=m1+m2-m3-m4 | |
| C． | 释放的能量△E=（m3-m4-ml-m2）c2 | |
| D． | 太阳辐射的能量主要来自其内部发生的核聚变反应 | |
| E． | 氘核的比结合能大于氦核的比结合能 |
18．
t=0时刻，坐标原点O处的波源开始在垂直y轴方向上做简谐运动，形成沿x轴正方向传播的横波．t=0.4s时刻，波传到x=2m的A点，波形如图所示，求再经过多长时间，位于x=5m处的质点B到达波峰．
0 142751 142759 142765 142769 142775 142777 142781 142787 142789 142795 142801 142805 142807 142811 142817 142819 142825 142829 142831 142835 142837 142841 142843 142845 142846 142847 142849 142850 142851 142853 142855 142859 142861 142865 142867 142871 142877 142879 142885 142889 142891 142895 142901 142907 142909 142915 142919 142921 142927 142931 142937 142945 176998
t=0时刻，坐标原点O处的波源开始在垂直y轴方向上做简谐运动，形成沿x轴正方向传播的横波．t=0.4s时刻，波传到x=2m的A点，波形如图所示，求再经过多长时间，位于x=5m处的质点B到达波峰．