题目内容
9．下列关于分子运动和热现象的说法正确的是（ ）| A． | 一定量100℃的水变成100℃的水蒸气，其分子之间的势能增加 | |
| B． | 气体如果失去了容器的约束就会散开，这是因为气体分子之间存在势能的缘故 | |
| C． | 如果气体温度升高，那么所有分子的速率都增加 | |
| D． | 如果气体分子总数不变，而气体温度升高，气体分子的平均动能增大，因此压强必然增大 | |
| E． | 对于一定质量的气体，如果压强不变，体积增大，那么它一定从外界吸热 | |
| F． | 一定量气体的内能不等于其所有分子热运动动能和分子之间势能的总和 |
分析 本题可根据热传递情况分析物态变化时，分析内能的变化，判断分子势能的变化．对于一定量的理想气体，内能只跟温度有关．温度是分子平均动能的标志．内能等于所有分子动能和势能之和．
解答 解：A、一定量100℃的水变成100℃的水蒸汽，温度不变，分子动能之和不变，由于吸热，内能增大，则其分子之间的势能增大．故A正确．
B、气体如果失去了容器的约束就会散开，是因为分子间距较大，相互的作用力很微弱，而且分子永不停息地做无规则运动，所以气体分子可以自由扩散．故B错误．
C、温度是分子平均动能的标志，温度升高，分子的平均动能增大，平均速率增大，但由于分子运动是无规则的，不是所有分子的速率都增大．故C错误．
D、气体分子总数不变，而气体温度升高，气体分子的平均动能增大，由于体积的变化情况不确定，所以压强不一定增大，故D错误．
E、对于一定量的气体，如果压强不变，体积增大，根据气态方程$\frac{pV}{T}$知，温度升高，则内能增大，那么它一定从外界吸热．故E正确．
F、根据内能的定义知，一定量气体的内能等于其所有分子热运动动能和分子之间势能的总和，故F错误．
故选：AE．
点评 本题关键要掌握分子动理论的基本内容和气态方程$\frac{pV}{T}$=c，知道温度是分子平均动能的标志，就能进行分析．
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如图所示，在正交坐标系Oxyz中，分布着电场和磁场（图中未画出）．在Oyz平面的左方空间内存在沿y轴负方向、磁感应强度大小为B的匀强磁场；在Oyz平面右方、Oxz平面上方的空间内分布着沿z轴负方向、磁感应强度大小也为B匀强磁场；在Oyz平面右方、Oxz平面下方分布着沿y轴正方向的匀强电场．在t=0时刻，一个微粒的质量为m、电荷量为q的微粒从P点静止释放，已知P点的坐标为（5a，-2a，0），电场强度大小为$\frac{aq{B}^{2}}{4m}$，不计微粒的重力．
环状空心的细金属管道质量为M，不计一切摩擦．
Q为一个原来静止在光滑水平面上的物体，质量为M，它带有一个凹形的不光滑轨道，轨道的ab段是水平的直线，bc段是位于竖直平面内半径为R的$\frac{1}{4}$圆弧，ab恰是圆弧bc的切线，P是另一个可看作质点的小物体，质量为m，它与轨道间的动摩擦因数为μ，物体P以沿水平方向的初速度v0冲上Q的轨道，已知它恰好能到达轨道顶端c点，后又沿轨道滑下，并最终在a点停止滑动，然后与Q一起在水平面上运动．
4．
如图甲，固定在光滑水平面上的正三角形金属线框，匝数n=20，总电阻R=2.5Ω，边长L=0.3m，处在两个半径均为r=$\frac{L}{3}$的圆形匀强磁场区域中．线框顶点与右侧圆中心重合，线框底边中点与左侧圆中心重合．磁感应强度B1垂直水平面向外，大小不变；B2垂直水平面向里，大小随时间变化，B1、B2的值如图乙所示．（π取3）则（ ）
如图甲，固定在光滑水平面上的正三角形金属线框，匝数n=20，总电阻R=2.5Ω，边长L=0.3m，处在两个半径均为r=$\frac{L}{3}$的圆形匀强磁场区域中．线框顶点与右侧圆中心重合，线框底边中点与左侧圆中心重合．磁感应强度B1垂直水平面向外，大小不变；B2垂直水平面向里，大小随时间变化，B1、B2的值如图乙所示．（π取3）则（ ）| A． | 通过线框中感应电流方向为顺时针方向 | |
| B． | t=0时刻穿过线框的磁通量为0.005Wb | |
| C． | 在t=0.6s内通过线框中的电量为0.12C | |
| D． | 经过t=0.6s线框中产生的热量为0.06J |
如图所示，水平地面上静止放置着物块B和C，相距L=1.0m．物块A以速度v0=10m/s沿水平方向与B正碰．碰撞后A和B立刻牢固地粘在一起向右运动，并再与C发生正碰，碰后瞬间C的速度v=2.0m/s，AB方向向右．已知A和B的质量均为m，C的质量为A质量的k倍，物块与地面的动摩擦因数μ=0.45．（设碰撞时间很短，A、B、C均可视为质点，g取10m/s2）
边长为a的闭合金属正三角形框架，完全处于垂直于框架平面的匀强磁场中，现把框架匀速拉出磁场，如图所示，则选项图中电动势、外力、外力功率与位置图象规律与这一过程不相符的是（ ）
19．
均匀导线制成的单匝正方形闭合线框abcd，每边长为L，总电阻为R，总质量为m．将其置于磁感强度为B的水平匀强磁场上方h处．线框由静止自由下落，线框平面保持在竖直平面内，且cd边始终与水平的磁场边界平行．当cd边刚进入磁场时，有（ ）
均匀导线制成的单匝正方形闭合线框abcd，每边长为L，总电阻为R，总质量为m．将其置于磁感强度为B的水平匀强磁场上方h处．线框由静止自由下落，线框平面保持在竖直平面内，且cd边始终与水平的磁场边界平行．当cd边刚进入磁场时，有（ ）| A． | 感应电流的方向为a→b→c→d→a | |
| B． | cd两点间的电势差大小为$\frac{3}{4}$BL$\sqrt{2gh}$ | |
| C． | ab边消耗的电功率为$\frac{{B}^{2}{L}^{2}gh}{2R}$ | |
| D． | 若此时线框加速度恰好为零，线框下落的高度应为$\frac{{m}^{2}g{R}^{2}}{2{B}^{4}{L}^{4}}$ |