题目内容
16．下列关于硅及其化合物的叙述正确的是（ ）| A． | 28Si、29Si、30Si是同素异形体 | |
| B． | 自然界里存在大量的单质硅、二氧化硅和硅酸盐 | |
| C． | 硅和锗都是重要的半导体材料 | |
| D． | 二氧化硅既溶于氢氧化钠溶液又溶于氢氟酸，所以二氧化硅是两性氧化物 |
分析 A．同素异形体研究对象为单质；
B．硅在自然界中以化合态存在；
C．硅和锗导电性介于导体与半导体之间；
D．与酸、碱反应生成盐和水的氧化物为两性氧化物．
解答 解：A．28Si、29Si、30Si是质子数相同中子数不同，互为同位素，故A错误；
B．硅在自然界中以化合态存在，自然界中不存在单质硅，故B错误；
C．硅和锗导电性介于导体与半导体之间，是良好的半导体材料，故C正确；
D．二氧化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和水，不是两性氧化物，故D错误；
故选：C．
点评 本题考查了元素化合物知识，熟悉硅及其化合物知识是解题关键，注意硅、二氧化硅性质的区别．
练习册系列答案
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6．氯化铁是常见的水处理剂，无水氯化铁的熔点为555K、沸点为588K．工业制备氯化铁的一种工艺如下：
回答下列问题：
（1）反应炉中发生反应的化学方程式为2Fe+3Cl2=2FeCl3 ．
（2）己知FeCl3•6H20在水中的溶解度如下：
从FeCl3溶液中获得FeCl3•6H20的方法是加入少量盐酸加热浓缩，再冷却结晶．
（3）捕集器中温度超过673K，存在相对分子质量为325的物质，该物质的化学式为Fe2Cl6．
（4）吸收塔中吸收剂X的作用是吸收反应炉中过量的氯气和少量氯化铁烟气，FeCl3溶液可腐蚀印刷电路铜板，其离子方程式为2Fe3++Cu=2Fe2++Cu2+．
（5）室温时向FeCl3溶液中滴加NaOH溶液，当溶液中c（Fe3+）≤l．O×lO-5mol•L-1时，视作Fe3+沉淀完全，则Fe3+沉淀完全的pH至少为3（已知Ksp[Fe（OH）3]=l.0×l0-38）．
回答下列问题：
（1）反应炉中发生反应的化学方程式为2Fe+3Cl2=2FeCl3 ．
（2）己知FeCl3•6H20在水中的溶解度如下：
| 温度/℃ | 0 | 10 | 20 | 30 | 50 | 80 | 100 |
| 溶解度（g/l00gH20） | 74.4 | 81.9 | 91.8 | 106.8 | 315.1 | 525.8 | 535.7 |
（3）捕集器中温度超过673K，存在相对分子质量为325的物质，该物质的化学式为Fe2Cl6．
（4）吸收塔中吸收剂X的作用是吸收反应炉中过量的氯气和少量氯化铁烟气，FeCl3溶液可腐蚀印刷电路铜板，其离子方程式为2Fe3++Cu=2Fe2++Cu2+．
（5）室温时向FeCl3溶液中滴加NaOH溶液，当溶液中c（Fe3+）≤l．O×lO-5mol•L-1时，视作Fe3+沉淀完全，则Fe3+沉淀完全的pH至少为3（已知Ksp[Fe（OH）3]=l.0×l0-38）．
；用电子式表示D2A的形成过程
．
．
11．稀硫酸和亚硫酸钠粉末反应，能使该反应的起始速率加快的是（ ）
| A． | 增大亚硫酸钠粉末的量 | |
| B． | 硫酸浓度增大一倍，用量减少到原来的$\frac{1}{2}$ | |
| C． | 硫酸浓度不变，用量增大一倍 | |
| D． | 使反应在较低温度下进行 |
5．下列叙述中，正确的是（ ）
| A． | 两种粒子，若核外电子排布完全相同，则其化学性质一定相同 | |
| B． | 凡单原子形成的离子，一定具有稀有气体元素原子的核外电子排布 | |
| C． | 两原子，如果核外电子排布相同，则一定属于同种元素 | |
| D． | 阴离子的核外电子排布一定与比它原子序数小的稀有气体元素原子的核外电子排布相同 |