题目内容
【题目】已知实验室用浓硫酸和乙醇在170℃的条件下制备乙烯(140℃时生成乙醚)。某学习小组设计实验证明浓硫酸在该反应中的还原产物有SO2,并制备1,2-二溴乙烷(装置可以重复使用)。
下列说法错误的是( )
A. 加热时迅速将温度升高至170℃,减少生成副产品
B. 导管接口连接顺序为a→d→e→c→b→d→e→f
C. 装置B中的试剂可以换成酸性高锰酸钾溶液
D. 实验完毕后,采用蒸馏操作分离提纯1,2-二溴乙烷
【答案】C
【解析】
A、140℃乙醇分子间脱水会生成乙醚,所以加热时迅速将温度升高至170℃,减少生成副产品,故A项正确;
B、制备乙烯、检验SO2、除SO2、确认SO2除尽、制备二溴乙烷,导管接口:长导管进气,短导管出气,所以导管接口连接顺序为a→d→e→c→b→d→e→f, 故B项正确;
C、装置B用于除去SO2,如果换成酸性高锰酸钾溶液,会消耗乙烯,所以装置B中的试剂不能换成酸性高锰酸钾溶液,故C项错误;
D、二溴乙烷溶于四氯化碳,二溴乙烷、四氯化碳沸点不同,所以可采用蒸镏操作分离提纯产品,故D正确。选C。
【题目】第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常称为高温半导体材料。回答下列问题:
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_______,第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______,其中σ键的对称方式为______。与CN-互为等电子体的分子为__________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________,NF3的空间构型为_________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如表所示,分析其变化原因_____________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如图所示:晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_________;