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【题目】氮化镓(GaN)是制造LED的重要材料,被誉为第三代半导体材料。镓(31Ga)的氧化物和氢氧化物均为两性化合物,工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是

A.Ga位于第五周期第IIIAB.酸性:Al(OH)3>Ga(OH)3

C.Ga(OH)3可与NaOH反应生成NaGaO2D.GaNH3反应的另一种生成物可用作航天燃料

【答案】CD

【解析】

铝土矿中加入氢氧化钠,镓(31Ga)和铝的氧化物均为两性氧化物,故反应生成偏铝酸钠和NaGaO2,通入适量的二氧化碳后,偏铝酸钠优先与二氧化碳反应生成氢氧化铝,NaGaO2经过系列反应得到单质镓,最终与氨气反应生成GaN

A. Ga的原子序数为31,位于第四周期第IIIA族,A错误;

B. 根据流程,将适量CO2通入NaAlO2NaGaO2的混合液中得到Al(OH)3沉淀,说明CO2优先与NaAlO2反应,则酸性Al(OH)3Ga(OH)3B错误;

C.Ga的氧化物和氢氧化物均为两性化合物,且根据题中流程图可知,Ga(OH)3可与NaOH反应生成NaGaO2C正确;

D. 根据元素守恒可知,GaNH3反应的另一种生成物为氢气,氢气具有可燃性,可用作航天燃料,D正确;

答案为CD

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