(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为
正四面体
正四面体
.在四大晶体类型中,GaN属于
原子
原子
晶体.
(2)铜、铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有
能够接受孤电子对的空轨道
能够接受孤电子对的空轨道
的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

①H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是
O>N>H
O>N>H

②SO2分子的空间构型为
V形
V形
.与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为
SO42-、SiO44-
SO42-、SiO44-

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为
sp3杂化
sp3杂化
.乙二胺和三甲胺[N(CH33]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是
乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键
乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键

④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有
abd
abd

a.配位键     b.极性键     c.离子键    d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为
4
4
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第四周期过渡元素Fe、Ti可与C、H、N、O形成多种化合物.
(1)①H、C、N、O四种元素的电负性由小到大的顺序为
 

②下列叙述不正确的是
 
.(填字母)
A.因为HCHO与水分子间能形成氢键,所以CH2O易溶于水
B.HCHO和CO2分子中的中心原子均采用sp2杂化
C.C6H6分子中含有6个σ键和1个大π键,C2H2是非极性分子
D.CO2晶体的熔点、沸点都比二氧化硅晶体的低
③氰酸(HOCN)是一种链状分子,它与异氰酸(HNCO)互为同分异构体,其分子内各原子最外层均已达到稳定结构,试写出氰酸的结构式
 

(2)Fe原子或离子外围有较多能量相近的空轨道能与一些分子或离子形成配合物.
①与Fe原子或离子形成配合物的分子或离子应具备的结构特征是
 

②六氰合亚铁离子[Fe(CN)6]4-中不存在
 

a、共价键  b、非极性键  c、配位键  d、σ键  e、π键
并写出一种与CN_互为等电子体的单质分子式
 

③三氯化铁常温下为固体,熔点282℃,沸点315℃,在300℃以上升华,易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮等有机溶剂.据此判断三氯化铁的晶体类型为
 

(3)①Ti的在周期表中位置
 
.根据元素原子的外电子排布的特征,可将元素周期表分成五个区域,其中Ti属于
 
区.
②Ti的一种氧化物X,其晶胞结构如上图所示,则X的化学式为
 
.工业上利用X和碳酸钡在熔融状态下制取化合物M(M可看做一种含氧酸盐),同时生成一种气体氧化物,制备M的化学反应方程式是
 

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