题目内容
【题目】锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题:
(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar]____,有____个未成对电子。
(2)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因________________________________。
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔点/℃ | -49.5 | 26 | 146 |
沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约400 |
(3)光催化还原CO2制备CH4反应中,带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是____________。
(4)Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为____,微粒之间存在的作用力是____。
(5)晶胞有两个基本要素:
①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置。如图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为(0,0,0);B为(1/2,0,1/2);C为(1/2,1/2,0)。则D原子的坐标参数为____。
②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数a pm,其密度为_________g·cm-3(列出计算式即可)。
【答案】3d104s24p2 2 相对分子质量的增大,范德华力增大,熔沸点升高 氧>锗>锌 sp3 共价键 (,,) g/cm3
【解析】
(1)在元素周期表中,锗和硅属于同主族,锗位于硅的下一周期,即锗的原子序数为14+18=32,基态原子核外电子排布式为[Ar] 3d104s24p2;由于4p能级有3个能量相同的轨道,根据洪特规则,4p上2个电子分别占据两个轨道且自旋方向相同,因此未成对电子为2;
(2)根据表格数据得出,三种锗卤化物都是分子晶体,不含分子间氢键,因此熔沸点随着相对分子质量的增大,范德华力增大,熔沸点升高;
(3)锌、锗位于同周期,同一周期从左向右元素的电负性逐渐增大,而氧位于元素周期表右上角,电负性仅次于F,得出三种元素的电负性大小顺序是氧>锗>锌;
(4)类比金刚石,晶体锗属于原子晶体,每个锗与其周围的4个锗原子形成4个单键,锗原子的杂化类型为sp3,微粒间的作用力是共价键;
(5)①对照晶胞图示,坐标系以及A、B、C点坐标,选A点为参照点,观察D点在晶胞中位置,即体对角线的,D的坐标参数为(,,);
②类似金刚石晶胞,1个晶胞含有8个锗原子,即晶胞的质量为,晶胞的体积为(a×10-10)3cm3,即晶胞的密度为g/cm3。
【题目】下列各选项中,物质之间通过一步反应就能实现如图所示变化的是( )
选项 | 甲 | 乙 | 丙 | 丁 |
A | Al | AlCl3 | Al2O3 | NaAlO2 |
B | S | H2S | SO2 | SO3 |
C | Na | Na2O | NaOH | Na2O2 |
D | N2 | NH3 | NO | NO2 |
A. AB. BC. CD. D